ZHDS100 March   2026 BQ25785

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 - BQ2578X
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电序列
      2. 7.3.2  MODE 引脚检测
      3. 7.3.3  REGN 稳压器 (REGN LDO)
      4. 7.3.4  独立比较器功能
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 充电安全计时器
      6. 7.3.6  温度调节 (TREG)
      7. 7.3.7  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      8. 7.3.8  两级电池放电电流限制
      9. 7.3.9  快速角色交换功能
      10. 7.3.10 CHRG_OK 指示器
      11. 7.3.11 输入电流和充电电流检测
      12. 7.3.12 输入电流和电压限制设置
      13. 7.3.13 电池电芯配置
      14. 7.3.14 器件高阻态状态
      15. 7.3.15 USB On-The-Go (OTG)
      16. 7.3.16 准双相位转换器运行模式
      17. 7.3.17 连续导通模式 (CCM)
      18. 7.3.18 脉冲频率调制 (PFM)
      19. 7.3.19 开关频率和抖动功能
      20. 7.3.20 电流和功率监控器
        1. 7.3.20.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      21. 7.3.21 输入源动态电源管理
      22. 7.3.22 用于监测的集成 16 位 ADC
      23. 7.3.23 输入电流优化器 (ICO)
      24. 7.3.24 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      25. 7.3.25 处理器热量指示
        1. 7.3.25.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 7.3.25.2 PROCHOT 状态
      26. 7.3.26 器件保护
        1. 7.3.26.1  看门狗计时器 (WD)
        2. 7.3.26.2  输入过压保护 (ACOV)
        3. 7.3.26.3  输入过流保护 (ACOC)
        4. 7.3.26.4  系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 7.3.26.5  系统电压最大调节 (SYS_MAX)
        6. 7.3.26.6  电池过压保护 (BATOVP)
        7. 7.3.26.7  电池充电过流保护 (BATCOC)
        8. 7.3.26.8  电池放电过流保护 (BATDOC)
        9. 7.3.26.9  LDO 调节模式下的 BATFET 充电电流钳位保护
        10. 7.3.26.10 VBUS 和 ACP_A 之间的睡眠比较器保护 (SC_VBUSACP)
        11. 7.3.26.11 REGN 电源正常保护 (REGN_PG)
        12. 7.3.26.12 系统欠压锁定 (VSYS_UVP) 和断续模式
        13. 7.3.26.13 OTG 模式过压保护 (OTG_OVP)
        14. 7.3.26.14 OTG 模式欠压保护 (OTG_UVP)
        15. 7.3.26.15 热关断 (TSHUT)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正向模式
        1. 7.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 7.4.1.2 电池充电
      2. 7.4.2 USB On-The-Go 模式
      3. 7.4.3 直通模式 (PTM) 专利技术
      4. 7.4.4 学习模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SMBus 接口
        1. 7.5.1.1 SMBus 写入字和读取字协议
        2. 7.5.1.2 时序图
    6. 7.6 BQ25785 寄存器映射
    7. 7.7 BQ25785 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 用于电压尖峰阻尼的输入缓冲器和滤波器
        2. 8.2.2.2 ACP-ACN 输入滤波器
        3. 8.2.2.3 电感器选型
        4. 8.2.2.4 输入电容器
        5. 8.2.2.5 输出电容器
        6. 8.2.2.6 功率 MOSFET 选择
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 布局示例参考顶视图
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.1 布局指南

为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，请务必确保元件布局合理，以尽可能减小高频电流路径环路（参阅节 8.4.2）。下表是正确布局的 PCB 布局优先级列表。

表 8-7 PCB 布局指南
规则 元件 功能 影响 指南
1 PCB 层堆叠 热性能、效率、信号完整性 建议使用多层 PCB。至少分配一个接地层。BQ2_A、Q2_B577XEVM 使用 6 层 PCB（顶层、接地层、信号层和底层）。
2 CBUS、RAC_A、RAC_B、Q1_A、Q1_B、Q2_A、Q2_B 输入环路 高频噪声，纹波 VBUS 电容器、RAC_A、RAC_B、Q1_A、Q1_B 和 Q2_A、Q2_B 形成两个小环路 1 和 2。将电容器放在同一侧。使用大面积的铜连接电容器可减少寄生电阻。将部分 CBUS 移到 PCB 的另一侧，以实现高密度设计。在 Q1_A、Q1_B 和 Q2_A、Q2_B 功率级之前的 RAC_A、RAC_B 之后，建议将 10µF（0603/0805 封装）+10nF+1nF（0402 封装）去耦电容器尽可能靠近 IC 放置，以便对开关环路高频噪声进行去耦。
3 RAC_A、RAC_B、Q1_A、Q1_B、L1、Q4 电流路径 效率 从 VBUS 到 VSYS 通过 RAC_A、RAC_B、Q1_A、Q1_B、L1、Q4 的电流路径具有低阻抗。请留意过孔电阻是否不在同一侧。对于 1oz 铜厚度的 10mil 过孔，过孔数量可估算出每个过孔为 1A 至 2A。
4 CSYS、Q3、Q4 输出环路 高频噪声，纹波 VSYS 电容器 Q3 和 Q4 构成一个小环路 3。将电容器放在同一侧。使用大面积的铜连接电容器可减少寄生电阻。将部分 CSYS 移到 PCB 的另一侧，以实现高密度设计。
5 QBAT、RSR 电流路径 效率、电池电压检测 将 QBAT 和 RSR 放置在电池端子附近。从 VBAT 到 VSYS 通过 RSR 和 QBAT 的电流路径具有低阻抗。请留意过孔电阻是否不在同一侧。该器件通过电池端子附近的 SRN 检测电池电压。
6 Q1_A、Q1_B、Q2_A、Q2_B、L1、Q3、Q4 功率级 热性能、效率 将 Q1_A 和 Q2_A、Q1_B 和 Q2_B、L1、Q3 和 Q4 彼此相邻放置。留出足够的铜面积来散热。建议铜面积为焊盘尺寸的 2 到 4 倍。多个散热过孔可用于将更多铜层连接在一起并散发更多热量。
7 RAC_A、RAC_B、RSR 电流检测 调节精度 对 RAC_A、RAC_B 和 RSR 电流检测电阻使用开尔文检测技术。将电流检测 RAC_A、RAC_B 连接到焊盘的中心，并将电流检测布线用作差分对。
8 小电容 IC 旁路电容器 噪声、抖动、纹波 将 VBUS 电容器、VCC 电容器、REGN 电容器靠近 IC 放置。
9 BTST 电容器 HS 栅极驱动 高频噪声，纹波 将 HS MOSFET 升压自举电路电容器放置在靠近 IC 的位置并位于 PCB 板的同一侧。建议电容器 SW1_A/SW1_B/2 节点使用宽铜多边形连接到功率级，建议电容器 BTST1_A/BTST1_B/BTST2 节点使用至少 8mil 的布线连接到 IC BTST1_A/BTST1_B/BTST2 引脚。
10 接地分区 测量精度、调节精度、抖动、纹波 优先选择单独的模拟接地 (AGND) 和电源接地 (PGND)。PGND 必须用于所有功率级相关的接地网。AGND 必须用于所有检测、补偿和控制网络接地，例如 ACP_A/ACN_A/ACP_B/ACN_B/CMPIN_TR/CMPOUT/IADPT/IBAT/PSYS。将所有模拟接地端连接到专用的低阻抗覆铜平面，该覆铜平面连接到 IC 外露焊盘下方的电源接地端。如果可能，请使用专用的 AGND 布线。使用电源板作为单一接地连接点，将模拟接地和电源接地连接在一起。