LMG5200 LMG5200 80V GaN 半桥功率级 | 德州仪器 TI.com.cn

LMG5200 (正在供货)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

LMG5200 80V GaN 半桥功率级 - LMG5200
 

描述

LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级,采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET,它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势显著,因为其反向恢复电荷几乎为零,输入电容 CISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 无铅封装,可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容,无论 VCC 电压如何,都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的 应用 而言,该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时,LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。

特性

  • 集成 15mΩ GaN FET 和驱动器
  • 80V 连续电压,100V 脉冲电压额定值
  • 封装经过优化,可实现简单的 PCB 布局,无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
  • 超低共源电感可确保实现高压摆率开关,同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
  • 非常适合隔离式和非隔离式 应用
  • 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
  • 内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 优异的传播延迟(典型值为 29.5ns)和匹配(典型值为 2ns)
  • 低功耗

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参数 与其它产品相比 GaN FET功率级

 
Prop Delay (ns)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
LMG5200 LMG3410R070
29.5     20    
Catalog     Catalog    
-40 to 125     -40 to 125    
QFM | 9     VQFN | 32    
See datasheet (QFM)     32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)