LMG5200 (正在供货)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

 

描述

LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级,采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET,它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势显著,因为其反向恢复电荷几乎为零,输入电容 CISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 无铅封装,可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容,无论 VCC 电压如何,都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的 应用 而言,该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时,LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。

特性

  • 集成 15mΩ GaN FET 和驱动器
  • 80V 连续电压,100V 脉冲电压额定值
  • 封装经过优化,可实现简单的 PCB 布局,无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
  • 超低共源电感可确保实现高压摆率开关,同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
  • 非常适合隔离式和非隔离式 应用
  • 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
  • 内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 优异的传播延迟(典型值为 29.5ns)和匹配(典型值为 2ns)
  • 低功耗

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参数 与其它产品相比 GaN FET 模块

 
Configuration
VDS (Max) (V)
ID (Max) (A)
RDS (on) (Milliohm)
Coss (pF)
VCC (V)
Logic Level
Prop Delay (ns)
Control Method
LMG5200 LMG3410
Half Bridge Power Stage    Single-Channel Power Stage   
80    600   
10    12   
15    70   
266    71   
5    12   
3V to 5V CMOS and TTL    3V to 5V CMOS and TTL   
29.5    20   
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