LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN | 德州仪器 TI.com.cn

LMG3411R070 (正在供货) 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

 

More Information

Get started with your GaN design today with the LMG3411R070 development kit:

描述

LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的 替代产品 ,以简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

特性

  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
    • 25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护,响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 器件选项
    • LMG3410R070:锁存过流保护
    • LMG3411R070:逐周期过流保护

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参数

与其它产品相比 GaN FET功率级 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 Approx. price (US$) Configuration ID (Max) (A)
LMG3411R070 立即下单   Single-Channel Power Stage     12    
LMG3410R050 立即下单   Single-Channel Power Stage     12    
LMG3410R070 立即下单   Single-Channel Power Stage     12    
LMG3410R150 立即下单   Single-Channel Power Stage     6    
LMG3411R050 立即下单   Single-Channel Power Stage     12    
LMG3411R150 立即下单   Single-Channel Power Stage     6    
LMG5200 立即下单 6.50 | 1ku     Half Bridge Power Stage     10