ZHCUAQ6 January 2023
在此设计中验证了热性能。测试条件如以下列表中所示:
图 3-17 展示了温升测试的测试设置。
图 3-18 展示了 200V VAC、4kW 时的升压电感器温度,其中温升为 69.6°C – 25°C = 44.6°C。
由于 GaN 子板位于主板下方,因此很难使用热成像仪测量 GaN 温升。不过,GaN 会在 PWM 模式下报告 TEMP 引脚上的温度,而 PWM 占空比代表温度。固件会监测 PWM 占空比,计算温度,并通过 UART 端口将此信息报告给主机 PC。图 3-19 是 UART 终端上的检测信号报告。可以在该报告中读取 GaN 的温度。
对于一些交流输入电压更低的应用,输入电流更高,因此 GaN、二极管桥和升压电感器的温升甚至更高。用户必须全面评估这些器件的温升情况,来确保器件具有足够的温升裕度。