ZHCUAQ6 January   2023

 

  1.   说明
  2.   资源
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1系统说明
    1. 1.1 关键系统规格
  7. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1  6W 辅助电源
      2. 2.2.2  交流输入电流检测
      3. 2.2.3  直流母线电压感测
      4. 2.2.4  交流输入电压检测
      5. 2.2.5  GaN 驱动
      6. 2.2.6  上电时的浪涌电流保护
      7. 2.2.7  过流保护
      8. 2.2.8  交流输入欠压保护
      9. 2.2.9  直流总线过压保护
      10. 2.2.10 GaN 温度监测和保护
      11. 2.2.11 散热器温度监测和保护
      12. 2.2.12 UART 检测信号报告
      13. 2.2.13 电机控制接口
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 LMG352xR030
      2. 2.3.2 TMS320F28002x
      3. 2.3.3 UCC2871x
      4. 2.3.4 TLV906x
      5. 2.3.5 TPS54308
  8. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求和组装
      1. 3.1.1 测试设备要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
    4. 3.4 测试结果
      1. 3.4.1 测试过程
        1. 3.4.1.1 90V VAC 下的测试过程
        2. 3.4.1.2 220V VAC 下的测试过程
    5. 3.5 性能数据：效率、iTHD 和功率因数
    6. 3.6 函数波形
      1. 3.6.1  在 90V VAC、800Ω 负载下进行测试
      2. 3.6.2  220V VAC 下的上电序列测试
      3. 3.6.3  重负载条件下的波形
      4. 3.6.4  降压辅助电源测试
      5. 3.6.5  交流压降测试
      6. 3.6.6  GaN 开关性能
      7. 3.6.7  热力测试
      8. 3.6.8  断电序列
      9. 3.6.9  浪涌测试
      10. 3.6.10 传导发射测试
  9. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 物料清单
    2. 4.2 文档支持
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 商标
  10. 5作者简介

2.3.1 LMG352xR030

LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG352xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关安全工作区 (SOA)。这种集成与我们的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。其他特性（包括用于 EMI 控制的可调栅极驱动强度、过热保护、稳健过流保护和故障指示）可提供优化的 BOM 成本、布板尺寸和外形尺寸。

高级电源管理功能包括数字温度报告和 TI 的理想二极管模式。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这使系统能够管理负载。理想二极管模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗，从而更大限度地提高效率。