图 3-1 展示了 BQ25970 简化原理图。

图 3-1 BQ25970 简化原理图

• CFLY 是电荷泵电容器，它是一个储电元件
• 外部 MOSFET 用于 VBUS 的过压保护，可将 VBUS 中的专用 OVP 开关替换为低成本 MOSFET

通常，BQ25970 应用的所有电力电容器都应为 MLCC（多层陶瓷电容器），因为它们的封装更小、ESR 更低且功耗更低。MLCC 电容器的最大不足是其直流偏置电压会导致有效电容降低。当 MLCC 上的直流偏置电压增加时，MLCC 的有效电容将相应降低。在实际设计中，必须保持足够电容，MLCC 数据表中直流偏置电压与电容的关系曲线对于寻找合适的电力电容器非常有用。如图 3-2 所示，当直流偏置电压增加时，有效电容将快速降低。当然，设计人员必须考虑电力电容器支持的最大电压能否满足实际要求。例如，如果电源轨为 10V，则设计人员应选择 16V MLCC 以避免任何故障。同时，设计人员还必须考虑温度对有效电容的影响，因为不同的环境工作温度会导致有效电容变化。

图 3-2 MLCC 有效电容与直流偏置电压和温度的关系

外部 MOSFET 将用作 OVP 功能，因此在选择 MOSFET 时，其最大额定电压 V_DS 非常重要。它取决于 VBUS 上的最大电压，当 VBUS 上的电压超过 BQ25970 器件的 OVP 设置时，此 MOSFET 将立即关闭（通常在 100ns 内关闭）。此外，MOSFET 的 R_DS(on) 会影响效率，因此较低 R_DS(on) 的 MOSFET 是理想选择。最后，MOSFET 的 V_GS 应大于 10V。

CSD17577Q3A 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表中的 MOSFET CSD17577Q3A 规格表（图 3-3）显示了关键参数 V_DS、R_DS(on) 和 V_GS。

图 3-3 MOSFET 主要规格表