2 高性能

图 2-1 至图 2-2 显示了 LM3477 评估板上的前述电路的一些基准测试数据。此评估板还可用于评估针对不同工作点而优化的降压稳压器电路或评估成本与某些性能参数之间的折衷。例如，可以通过使用具有更低 R_DS(ON) 的 MOSFET 来提高转换效率，通过使用具有更低 ESR 的输出电容器来降低纹波电压，可以作为 R_SN 和 R_SL 电阻的函数更改迟滞阈值。

可以通过使用具有更低 R_DS(ON) 的 MOSFET 来提高转换效率，但效率会随着输入电压的提高而下降。效率会因二极管导通时间和开关损耗的增加而降低。开关损耗是 Vds × Id 转换损耗和栅极电荷损耗所致，这两种损耗都可以通过使用具有低栅极电容的 FET 来降低。在低占空比下，FET 中的大部分功率损耗均来自开关损耗，权衡较高的 R_DS(ON) 以实现较低的栅极电容将会提高效率。

图 2-1 效率与负载的关系曲线 (V_OUT = 3.3V)

图 2-2 效率与 V_IN 的关系曲线（V_OUT = 3.3V，I_OUT = 2A）

图 3-1 显示了使用表 1-1 中所列外部元件时的 LM3477 开环频率响应波特图。

幅度 = 20dB/十倍频程，带宽 = 39.8kHz，相位 = 45°/十倍频程，相位裕度 = 41°

图 2-3 开环频率响应（V_IN = 5V，V_OUT = 3.3V，I_OUT = 1.5A）