ZHCAAO3K December   2015  – April 2024 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1振荡器和晶体基础知识
    1. 1.1 振荡器操作
    2. 1.2 石英晶体电气模型
      1. 1.2.1 振荡频率
      2. 1.2.2 等效串联电阻
      3. 1.2.3 驱动电平
      4. 1.2.4 晶体牵引
    3. 1.3 负电阻
    4. 1.4 振荡器的时间常数
  5. 2CC 器件晶体振荡器概述
    1. 2.1 24MHz 和 48MHz 晶体振荡器
    2. 2.2 24MHz 和 48MHz 晶体控制环路
    3. 2.3 32.768kHz 晶体振荡器
  6. 3为 CC 器件选择晶体
    1. 3.1 运行模式
    2. 3.2 频率精度
      1. 3.2.1 24MHz 和 48MHz 晶体
      2. 3.2.2 32.768kHz 晶体
    3. 3.3 负载电容
    4. 3.4 ESR 和启动时间
    5. 3.5 驱动电平和功耗
    6. 3.6 晶体封装尺寸
  7. 4晶体的 PCB 布局
  8. 5测量晶体的振荡幅度
    1. 5.1 测量启动时间来确定 HPMRAMP1_TH 和 XOSC_HF_FAST_START
  9. 6适用于 CC13xx、CC26xx 和 CC23xx 的晶体
  10. 7高性能 BAW 振荡器
  11. 8参考文献
  12. 9修订历史记录

晶体牵引

晶体频率可通过更改负载电容来牵引。参数 ΔF 是晶体因其负载电容变化而导致的谐振频率变化。该牵引可以利用晶体的额定(并联)谐振频率通过方程式 6 计算得出。

方程式 6. GUID-861C6D6B-EF31-4112-9726-D6D2512492AE-low.gif

CLMAX 和 CLMIN 是晶体上可能出现的最大和最小负载电容。如需了解更多信息,请参阅 CC13xx/CC26xx 硬件配置和 PCB 设计注意事项