ZHCSU86 January   2024 UCC21330

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全限值
    8. 5.8  电气特性
    9. 5.9  开关特性
    10. 5.10 绝缘特性曲线
    11. 5.11 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 6.2 上升至下降时间
    3. 6.3 输入和禁用响应时间
    4. 6.4 可编程死区时间
    5. 6.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 6.6 CMTI 测试
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 7.3.3 输入级
      4. 7.3.4 输出级
      5. 7.3.5 UCC21330 中的二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 禁用引脚
      2. 7.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 7.4.2.1 将 DT 引脚连接到 VCC
        2. 7.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 选择外部自举二极管及其串联电阻
        3. 8.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 8.2.2.4 栅极至源极电阻器选择
        5. 8.2.2.5 估算栅极驱动器功率损耗
        6. 8.2.2.6 估算结温
        7. 8.2.2.7 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 8.2.2.7.1 选择 VCCI 电容器
          2. 8.2.2.7.2 选择 VDDA（自举）电容器
          3. 8.2.2.7.3 选择 VDDB 电容器
        8. 8.2.2.8 死区时间设置指南
        9. 8.2.2.9 具有输出级负偏置的应用电路
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 认证
    4. 11.4 接收文档更新通知
    5. 11.5 支持资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器

通过在 DT 引脚和 GND 之间放置一个电阻器 RDT 来对 tDT 编程。可以确定合适的 RDT 值，其中 RDT 以 kΩ 为单位，tDT 以 ns 为单位：

方程式 1. t D T ≈ 8.6 × R D T + 13

当 RDT 在 1.7kΩ 至 100kΩ 之间时，方程式 1 成立。不建议使用值大于 100kΩ 的 RDT。

一个输入信号下降沿会激活另一个信号的已编程死区时间。输出信号死区时间始终设置为驱动器编程的死区时间或输入信号自己死区时间中的较长值。如果两个输入同时都处于高电平，则两个输出都将立即被设为低电平。此特性用于防止击穿，并且它并不影响正常运行所需的已编程设定的死区时间。图 7-4 显示并说明了各种驱动器死区时间逻辑工作条件：

GUID-77AD736F-41A0-4CA9-9C47-A2A2485E346D-low.gif图 7-4 各种输入信号条件下输入与输出逻辑之间的关系

条件 A：INB 变为低电平，INA 变为高电平。INB 立即将 OUTB 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTA。在已编程设定的死区时间后，OUTA 能够变为高电平。

条件 B：INB 变为高电平，INA 变为低电平。INA 现在立即将 OUTA 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。在已编程设定的死区时间后，OUTB 能够变为高电平。

条件 C：INB 变为低电平，INA 仍为低电平。INB 立即将 OUTB 设为低电平并为 OUTA 分配已编程死区时间。在这种情况下，输入信号的自身死区时间长于已编程死区时间。因此，当 INA 变为高电平时，INA 立即将 OUTA 设为高电平。

条件 D：INA 变为低电平，INA 仍为低电平。INA 立即将 OUTA 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。INB 的自身死区时间长于已编程死区时间。因此，当 INB 变为高电平时，INB 立即将 OUTB 设为高电平。

条件 E：INA 变为高电平，而 INB 和 OUTB 仍为高电平。为了避免过冲，INA 立即将 OUTB 拉至低电平并使 OUTA 保持低电平状态。一段时间后，OUTB 变为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTA。OUTB 已经为低电平。在已编程设定的死区时间后，OUTA 能够变为高电平。

条件 F：INB 变为高电平，而 INA 和 OUTA 仍为高电平。为了避免过冲，INB 立即将 OUTA 拉至低电平并使 OUTB 保持低电平状态。一段时间后，OUTA 变为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。OUTA 已经为低电平。在已编程设定的死区时间后，OUTB 能够变为高电平。