ZHCSU18A November 2023 – June 2024 TMCS1126
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|
常规 | |||||
CLR | 外部间隙(1) | 端子间的最短空间距离 | ≥ 8 | mm | |
CPG | 外部爬电距离(1) | 端子间的最短封装表面距离 | ≥ 8 | mm | |
CTI | 相对漏电起痕指数 | DIN EN 60112;IEC 60112 | ≥ 600 | V | |
材料组 | 符合 IEC 60664-1 | I | |||
过压类别(符合 IEC 60664-1) | 额定市电电压 ≤ 600VRMS | I-IV | |||
VIORM | 最大重复峰值隔离电压 | 交流电压(双极) | 1344 | VPK | |
VIOWM | 最大增强型隔离工作电压 | 交流电压(正弦波) | 600 | VRMS | |
849 | VDC | ||||
最大基本隔离工作电压 | 交流电压(正弦波) | 950 | VRMS | ||
1344 | VDC | ||||
VIOTM | 最大瞬态隔离电压 | VTEST = √2 x VISO,t = 60s(鉴定测试); VTEST = 1.2 × VIOTM,t = 1s(100% 生产测试) |
7071 | VPK | |
VIOSM | 最大浪涌隔离电压(2) | 测试方法符合 IEC 62368-1,1.2/50µs 波形, VTEST = 1.3 × VIOSM(鉴定测试) |
10000 | VPK | |
qpd | 视在电荷(3) | 方法 b1:常规测试(100% 生产测试)和预处理(类型测试), Vini = 1.2 × VIOTM,tini = 1s;Vpd(m) = 1.875 × VIORM,tm = 1s |
≤5 | pC | |
CIO | 势垒电容,输入至输出(4) | VIO = 0.4 sin (2πft),f = 1MHz | 0.6 | pF | |
RIO | 隔离电阻,输入至输出(4) | VIO = 500V,TA = 25°C | > 1012 | Ω | |
VIO = 500V,100°C ≤ TA ≤ 125°C | > 1011 | Ω | |||
VIO = 500V,TS = 150°C | > 109 | Ω | |||
污染等级 | 2 | ||||
UL 1577 | |||||
VISO | 可承受的隔离电压 | VTEST = VISO,t = 60s(鉴定测试); VTEST = 1.2 × VISO,t = 1s(100% 生产测试) |
5000 | VRMS |