ZHCSFL4 October   2016 TLV3541 , TLV3542 , TLV3544

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
  6. 技术规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议的工作条件
    4. 6.4 热性能信息: TLV3541
    5. 6.5 热性能信息:TLV3542
    6. 6.6 热性能信息:TLV3544
    7. 6.7 电气特性:VS = 2.7V 至 5.5V 单电源
    8. 6.8 典型特性
  7. 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 工作电压
      2. 7.3.2 轨至轨输入
      3. 7.3.3 轨至轨输出
      4. 7.3.4 输出驱动
      5. 7.3.5 视频
      6. 7.3.6 驱动模数转换器
      7. 7.3.7 电容负载和稳定性
      8. 7.3.8 宽带互阻抗放大器
    4. 7.4 器件功能模式
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
  9. 电源相关建议
    1. 9.1 输入和 ESD 保护
  10. 10布局
    1. 10.1 布局准则
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 相关链接
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

技术规格

绝对最大额定值

在自然通风温度范围内测得(除非另有说明)(1)
最小值 最大值 单位
电压 电源电压,V+ 至 V− 7.5 V
信号输入端子(2) (V–) – (0.5) (V+) + 0.5 V
电流 信号输入端子(2) -10 10 mA
输出短路(3) 连续
温度 工作温度,TA -55 150 °C
结温,TJ -65 150 °C
存储温度,Tstg 150 °C
超出绝对最大额定值下所列值的应力可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况,对于额定值下的器件的功能性操作以及在超出推荐的操作条件下的任何其它操作,在此并未说明。在绝对最大额定值条件下长时间运行会影响器件可靠性。
输入引脚被二极管钳制至电源轨。摆幅超过电源轨 0.5V 的输入信号的电流必须限制在 10mA 或者更少。
对地短路,每个封装对应一个放大器。

ESD 额定值

单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模式 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) 1000 V
组件充电模式 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) 250
JEDEC 文档 JEP155 规定:500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
JEDEC 文档 JEP157 规定:250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

建议的工作条件

在自然通风温度范围内测得(除非另有说明)
最小值 标称值 最大值 单位
VS 电源电压,V– to V+ 2.5 5.5 V
指定温度范围 -40 125 °C

热性能信息: TLV3541

热指标(1) TLV3541 单位
D (SOIC) DBV (SOT-23)
8 引脚 5 引脚
RθJA 结至环境热阻 123.8 216.3 °C/W
RθJC(top) 结至外壳(顶部)热阻 68.7 84.3 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 64.5 43.1 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 23.0 3.8 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 64.0 42.3 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳(底部)热阻 不适用 不适用 °C/W
有关传统和新热指标的更多信息,请参阅《半导体和 IC 封装热指标》 (SPRA953)。

热性能信息:TLV3542

热指标(1) TLV3542 单位
D (SOIC) DGK (VSSOP)
8 引脚 8 引脚
RθJA 结至环境热阻 113.9 175.9 °C/W
RθJC(top) 结至外壳(顶部)热阻 60.4 67.8 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 54.1 97.1 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 17.1 9.3 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 53.6 95.5 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳(底部)热阻 不适用 不适用 °C/W
有关传统和新热指标的更多信息,请参阅《半导体和 IC 封装热指标》 (SPRA953)。

热性能信息:TLV3544

热指标(1) TLV3544 单位
D (SOIC) PW (TSSOP)
14 引脚 14 引脚
RθJA 结至环境热阻 83.8 92.6 °C/W
RθJC(top) 结至外壳(顶部)热阻 70.7 27.5 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 59.5 33.6 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 11.6 1.9 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 37.7 33.1 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳(底部)热阻 不适用 不适用 °C/W
有关传统和新热指标的更多信息,请参阅《半导体和 IC 封装热指标》 (SPRA953)。

电气特性:VS = 2.7V 至 5.5V 单电源

在 TA = 25°C,RF = 0Ω,RL = 1kΩ 且连接至 VS/2 的条件下测得(除非另有说明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入失调电压 TA = 25°C 时,VS = 5V ±2 ±10 mV
dVOS/dT 输入偏移电压与温度间的关系 TA = −40°C 至 +125°C 时,VS = 5V ±4.5 μV/°C
PSRR 输入偏移电压与电源间的关系 VS = 2.7V 至 5.5V,
VCM = (VS/2) − 0.55V
60 70 dB
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 3 pA
IOS 输入失调电流 ±1 pA
噪声
en 输入电压噪声密度 f = 1MHz 7.5 nV/√Hz
in 电流噪声密度 f = 1MHz 50 fA/√Hz
输入电压范围
VCM 共模电压范围 (V−) − 0.1 (V+)+0.1 V
CMRR 共模抑制比
TA = 25°C 时,VS = 5.5V,–0.1V < VCM < 3.5V
66 80 dB

TA = 25°C 时,VS = 5.5V,–0.1V < VCM < 5.6V
56 68 dB
输入阻抗
差模 1013 || 2 Ω || pF
共模 1013 || 2 Ω || pF
开环增益
AOL 开环增益
TA = 25°C 时,VS = 5V,0.3V < VO < 4.7V
92 108 dB
频率响应
f−3dB 小信号带宽 G = +1,VO = 10mV
RF = 25Ω
200 MHz
G = +2,VO = 10mV 90 MHz
GBW 增益带宽积 G = +10 100 MHz
f0.1dB 0.1-dB 增益平坦度的带宽 G = +2,VO = 10mV 40 MHz
SR 压摆率 VS = 5V,G = +1,4V 阶跃 150 V / μs
VS = 5V,G = +1,2V 阶跃 130 V/μs
上升和下降时间 G = +1,VO = 200mVPP
10% 至 90%
2 ns
G = +1,VO = 2VPP,10% 至 90% 11 ns
趋稳时间 0.1%,VS = 5V,G = +1,
2V 输出阶跃
30 ns
0.01%,VS = 5V,G = +1,
2V 输出阶跃
60 ns
过载恢复时间 VIN × 增益 = VS 5 ns
频率响应(续)
谐波失真 第二谐波 G = +1,f = 1MHz,VO = 2VPP
RL = 200Ω,VCM = 1.5V
–75 dBc
第三谐波 G = +1,f = 1MHz,VO = 2VPP
RL = 200Ω,VCM = 1.5V
-83 dBc
差分增益误差 NTSC,RL = 150Ω 0.02%
差分相位误差 NTSC,RL = 150Ω 0.09 °
通道至通道串扰 TLV3542 f = 5MHz -100 dB
TLV3544 -84 dB
输出
相对于电源轨的电压输出摆幅 TA = 25°C 时,VS = 5V,RL = 1kΩ 0.1 0.3 V
IO 输出电流,单路、双路、四路(1)(2) VS = 5V 100 mA
VS = 3V 50 mA
闭环输出阻抗 f < 100kHz 0.05 Ω
RO 开环输出电阻 35 Ω
电源
VS 额定电压范围 2.7 5.5 V
工作电压范围 2.5 5.5 V
IQ 静态电流(每个放大器) TA = 25°C,VS = 5V,
IO = 0
5.2 6.5 mA
温度范围
额定温度范围 -40 125 °C
工作温度范围 (3) -55 150 °C
储存温度 -65 150 °C
热关断
关断温度 160 °C
关断复位温度 140 °C
请参阅有关输出电压摆幅与输出电流间的关系Figure 13Figure 14)的典型特性曲线。
根据设计确定。
在此温度范围内工作将不会损坏部件。不过,可能出现性能下降。

典型特性

在 TA = 25°C,VS = 5V,G = +1、RF = 0Ω,RL = 1kΩ 且连接至 VS/2 的条件下测得,除非另有说明。
TLV3541 TLV3542 TLV3544 C200_SBOS756.png
RF = 604‎Ω VO = 10mVpp
Figure 1. 同相小信号频率响应
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_noninverting_sm-signal_step_resp_bos233.gif
Figure 3. 同相小信号阶跃响应
TLV3541 TLV3542 TLV3544 C201_SBOS756.png
G = +1,RF = 0‎Ω VO = 10mVpp CL = 0pF
Figure 5. 不同 RL 值对应的频率响应
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_recommended_rs_cload_bos756.gif
Figure 7. 推荐的 RS 与电容负载间的关系
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_cmrr_psrr_fqcy_bos233.gif
Figure 9. 共模抑制比和电源抑制比与频率间的关系
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_differential_gain_phase_bos233.gif
Figure 11. 复合视频差分增益和相位
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_3V_vout_swing_iout_bos233.gif
Figure 13.
VS = 3V 时输出电压摆幅与输出电流间的关系
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_closed_loop_output_imped_fqcy_bos756.gif
Figure 15. 闭环输出阻抗与频率间的关系
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_output_settling_time_bos233.gif
Figure 17. 到 0.1% 的输出趋稳时间
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_crosstalk_bos756.gif
Figure 19. 通道至通道串扰
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_inverting_sm-signal_fqcy_resp_bos233.gif
Figure 2. 反相小信号频率响应
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_noninverting_lg-signal_step_resp_bos233.gif
Figure 4. 同相大信号阶跃响应
TLV3541 TLV3542 TLV3544 C202_SBOS756.png
G = +1,RS = 0‎Ω VO = 10mVpp
Figure 6. 不同 CL 值对应的频率响应
TLV3541 TLV3542 TLV3544 C203_SBOS756.png
G = +1,VO = 10mVpp
Figure 8. 频率响应与电容负载间的关系
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_open_loop_gain_phase_bos233.gif
Figure 10. 开环增益和相位
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_ibias_temp_bos233.gif
Figure 12. 输入偏置电流与温度间的关系
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_5V_vout_swing_iout_bos233.gif
Figure 14.
VS = 5V 时输出电压摆幅与输出电流间的关系
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_vout_max_fqcy_bos233.gif
Figure 16. 最大输出电压与频率间的关系
TLV3541 TLV3542 TLV3544 tc_voffset_prod_distribution_bos233.gif
Figure 18. 偏移电压产生分布图