ZHCSID2C July   2018  – December 2023 DRV8847

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 I2C 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 PWM 电机驱动器
      2. 7.3.2 桥运行
        1. 7.3.2.1 正向运行
        2. 7.3.2.2 反向运行
        3. 7.3.2.3 滑行运行（快速衰减）
        4. 7.3.2.4 制动运行（慢速衰减）
      3. 7.3.3 桥控制
        1. 7.3.3.1 4 引脚连接
        2. 7.3.3.2 2 引脚连接
        3. 7.3.3.3 并联桥式连接
        4. 7.3.3.4 独立桥式连接
      4. 7.3.4 电流调节
      5. 7.3.5 电流再循环和衰减模式
      6. 7.3.6 扭矩标量
      7. 7.3.7 步进模式
        1. 7.3.7.1 全步进模式（4 引脚连接）
        2. 7.3.7.2 全步进模式（2 引脚连接）
        3. 7.3.7.3 半步进模式（非驱动快速衰减）
        4. 7.3.7.4 半步进模式（非驱动慢速衰减）
      8. 7.3.8 电机驱动器保护电路
        1. 7.3.8.1 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.8.1.1 OCP 自动重试（硬件器件和软件器件 (OCPR = 0b)）
          2. 7.3.8.1.2 OCP 锁存模式（软件器件 (OCPR = 1b)）
          3. 7.3.8.1.3 42
        2. 7.3.8.2 热关断 (TSD)
        3. 7.3.8.3 VM 欠压锁定 (VM_UVLO)
        4. 7.3.8.4 开路负载检测 (OLD)
          1. 7.3.8.4.1 全桥开路负载检测
          2. 7.3.8.4.2 负载连接至 VM
          3. 7.3.8.4.3 负载连接至 GND
    4. 7.4 器件功能模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 通信
        1. 7.5.1.1 I2C 写入
        2. 7.5.1.2 I2C 读取
      2. 7.5.2 多从运行
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 从地址寄存器（地址 = 0x00）[复位 = 0x60]
      2. 7.6.2 IC1 控制寄存器（地址 = 0x01）[复位 = 0x00]
      3. 7.6.3 IC2 控制寄存器（地址 = 0x02）[复位 = 0x00]
      4. 7.6.4 压摆率和故障状态 1 寄存器（地址 = 0x03）[复位 = 0x40]
      5. 7.6.5 故障状态 2 寄存器（地址 = 0x04）[复位 = 0x00]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 步进电机应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 步进模式
            1. 8.2.1.2.1.1 全步进运行
            2. 8.2.1.2.1.2 快速衰减下的半步进运行
            3. 8.2.1.2.1.3 慢速衰减下的半步进运行
          2. 8.2.1.2.2 电流调节
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 双 BDC 电机应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
          1. 8.2.2.2.1 电机电压
          2. 8.2.2.2.2 电流调节
          3. 8.2.2.2.3 感测电阻
      3. 8.2.3 开路负载实现
        1. 8.2.3.1 开路负载检测电路
        2. 8.2.3.2 接地连接负载的 OLD
          1. 8.2.3.2.1 半桥开路
          2. 8.2.3.2.2 半桥短路
          3. 8.2.3.2.3 连接的负载
        3. 8.2.3.3 连接电源 (VM) 的负载的 OLD
          1. 8.2.3.3.1 半桥开路
          2. 8.2.3.3.2 半桥短路
          3. 8.2.3.3.3 连接的负载
        4. 8.2.3.4 全桥连接负载的 OLD
          1. 8.2.3.4.1 全桥开路
            1. 8.2.3.4.1.1 半桥 1 的高侧比较器 (OL1_HS)
            2. 8.2.3.4.1.2 半桥 2 的低侧比较器 (OL2_LS)
          2. 8.2.3.4.2 全桥短路
            1. 8.2.3.4.2.1 半桥 1 的高侧比较器 (OL1_HS)
            2. 8.2.3.4.2.2 半桥 2 的低侧比较器 (OL2_LS)
          3. 8.2.3.4.3 全桥中连接的负载
            1. 8.2.3.4.3.1 半桥 1 的高侧比较器 (OL1_HS)
            2. 8.2.3.4.3.2 半桥 2 的低侧比较器 (OL2_LS)
  10.   电源相关建议
    1. 9.1 确定大容量电容器的大小
  11. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
    3. 9.3 散热注意事项
      1. 9.3.1 最大输出电流
      2. 9.3.2 过热保护
    4. 9.4 功率损耗
  12. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持（可选）
      1. 10.1.1 开发支持（可选）
      2. 10.1.2 器件命名规则（可选）
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 社区资源
    5. 10.5 商标
  13. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PW|16
  • PWP|16
  • RTE|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

在建议运行条件下测得（除非另有说明）。TA = 25°C 且 VVM = 12V 时，适用典型限值。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源 (VM)
IVMVM 工作电源电流VM = 2.7V；nSLEEP = 1；INx = 022.5mA
VM = 5V；nSLEEP = 1；INx = 033.5mA
VM = 12V；nSLEEP = 1；INx = 033.5mA
IVMQVM 睡眠模式电流VM = 2.7V；nSLEEP = 0；TA = 25°C0.1µA
VM = 2.7V；nSLEEP = 0；TA = 85°C0.5µA
VM = 5V；nSLEEP = 0；TA = 25°C0.2µA
VM = 5V；nSLEEP = 0；TA = 85°C1µA
VM = 12V；nSLEEP = 0；TA = 25°C1.7µA
VM = 12V；nSLEEP = 0；TA = 85°C2.5µA
tSLEEP睡眠时间nSLEEP = 0 以进入睡眠模式2µs
tWAKE唤醒时间nSLEEP = 1 至输出转换1.5ms
tON开通时间VM > UVLO 至输出转换 (nSLEEP = 1)1.5ms
逻辑电平输入（IN1、IN2、IN3、IN4、NSLEEP、TRQ、SCL、SDA）
VIL输入逻辑低电平电压VM < 7 V00.6V
VM >= 7V (1)01.0V
VIH输入逻辑高电平电压1.65.5V
VHYS输入逻辑迟滞nSLEEP 引脚40mV
VHYS输入逻辑迟滞IN1、IN2、IN3、IN4、TRQ、SCL 引脚100mV
VILnSLEEP00.6V
VIHnSLEEP1.65.5V
VHYSnSLEEP40mV
IIL输入逻辑低电平电流VIN = 0V-11µA
IIH输入逻辑高电流IN1、IN2、IN3、IN4、TRQ、VIN = 5V1835µA
nSLEEP，VIN = 最小值（VM，5V）1025µA
tPD传播延迟INx 边沿到输出100400600ns
tDEGLITCH输入逻辑抗尖峰50ns
三电平输入（MODE）
VIL三电平输入逻辑低电平电压00.6V
VIZ三电平输入高阻抗电压1.2V
VIH三电平输入逻辑高电平电压1.65.5V
IIL三电平输入逻辑低电平电流VIN = 0V-9-4µA
IIH三电平输入逻辑高电平电流VIN = 5V825µA
开漏输出 (nFAULT)
VOL输出逻辑低电压IOD = 5mA0.5V
IOH输出逻辑高电流VOD = 3.3 V-11µA
开漏输出 (SDA)
VOL输出逻辑低电压IOD = 5mA0.5V
IOH输出逻辑高电流VOD = 3.3 V-11µA
CB每个总线的容性负载400pF
驱动器输出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4）
RDS(ON)_HS高侧 MOSFET 导通电阻VVM = 2.7V；IOUT = 0.5A；TA = 25°C690mΩ
VVM = 2.7V；IOUT = 0.5A；TA = 85°C950mΩ
VVM = 5V；IOUT = 0.5A；TA = 25°C530mΩ
VVM = 5V；IOUT = 0.5A；TA = 85°C740mΩ
VVM = 12V；IOUT = 0.5A；TA = 25°C520mΩ
VVM = 12V；IOUT = 0.5A；TA = 85°C700mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻VVM = 2.7V；IOUT = 0.5A；TA = 25°C570mΩ
VVM = 2.7V；IOUT = 0.5A；TA = 85°C900mΩ
VVM = 5V；IOUT = 0.5A；TA = 25°C460mΩ
VVM = 5V；IOUT = 0.5A；TA = 85°C690mΩ
VVM = 12V；IOUT = 0.5A；TA = 25°C450mΩ
VVM = 12V；IOUT = 0.5A；TA = 85°C680mΩ
IOFF关断状态漏电流VVM = 5V；TJ = 25°C；VOUT = 0V-11µA
tRISE输出上升时间VVM = 12V；IOUT = 0.5A150ns
tFALL输出下降时间VVM = 12V，IOUT = 0.5A150ns
tDEAD输出死区时间内部死区时间200ns
VSD体二极管正向电压IOUT = 0.5A1.1V
PWM 电流控制（ISEN12、SEN34）
VTRIPISENxx 跳变电压100% 时的转矩 (TRQ = 0)140150160mV
50% 时的转矩 (TRQ = 1)63.757586.25mV
tBLANK电流检测消隐时间1.8µs
tOFF电流控制恒定关断时间20µs
保护电路
VUVLO电源欠压锁定电源上升2.7V
电源下降2.4V
VUVLO_HYS电源欠压迟滞上升至下降阈值50mV
tUVLO电源欠压抗尖峰脉冲时间VM 下降；UVLO 报告10µs
IOCP过流保护跳变点(2)1.62A)
tOCP过流保护抗尖峰脉冲时间VVM < 15V3µs
VVM >= 15V1µs
tRETRY过流保护重试时间1ms
IOL_PU开路负载上拉电流OUTx 引脚上 < 15nF，VVM = 2.7V100µA
IOL_PU开路负载上拉电流OUTx 引脚上 < 15nF200µA
IOL_PD开路负载下拉电流OUTx 引脚上 < 15nF，VVM = 2.7V130µA
IOL_PD开路负载下拉电流OUTx 引脚上 < 15nF230µA
IOL开路负载上拉和下拉电流230µA
VOL_HS开路负载检测阈值（高侧）VVM = 2.7 V1.3V
VOL_HS开路负载检测阈值（高侧）2.3V
VOL_LS开路负载检测阈值（低侧）VVM = 2.7 V0.67V
VOL_LS开路负载检测阈值（低侧）1.2V
VOL开路负载检测阈值电压 1.1V
TTSD热关断温度150160180°C
THYS热关断迟滞40°C
Vb_BJT_27COTS 中 BJT 的基极电压（12V 电源下的测试焊盘输出）
(1) 取决于具体的设计和特性
(2) VM > 16.5V 时，OUTx 上的输出电流必须限制为 4A