ZHCSUO9 February   2024 DRV8262-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
      1. 5.4.1 瞬态热阻抗和电流能力
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1  概述
    2. 6.2  功能方框图
    3. 6.3  特性说明
    4. 6.4  器件运行模式
      1. 6.4.1 双路 H 桥模式 (MODE1 = 0)
      2. 6.4.2 单路 H 桥模式 (MODE1 = 1)
    5. 6.5  电流检测和调节
      1. 6.5.1 电流检测和反馈
      2. 6.5.2 电流调节
        1. 6.5.2.1 混合衰减
        2. 6.5.2.2 智能调优动态衰减
      3. 6.5.3 使用外部电阻器进行电流检测
    6. 6.6  电荷泵
    7. 6.7  线性稳压器
    8. 6.8  VCC 电压电源
    9. 6.9  逻辑电平、三电平和四电平引脚图
    10. 6.10 保护电路
      1. 6.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 6.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 6.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 6.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 6.10.6 nFAULT 输出
      7. 6.10.7 故障条件汇总
    11. 6.11 器件功能模式
      1. 6.11.1 睡眠模式
      2. 6.11.2 工作模式
      3. 6.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 6.11.4 功能模式汇总
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动有刷直流电机
        1. 7.1.1.1 有刷直流电机驱动器典型应用
        2. 7.1.1.2 功率损耗计算 - 双路 H 桥
        3. 7.1.1.3 功率损耗计算 - 单路 H 桥
        4. 7.1.1.4 结温估算
        5. 7.1.1.5 应用性能曲线图
      2. 7.1.2 驱动步进电机
        1. 7.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 7.1.2.2 功率损耗计算
        3. 7.1.2.3 结温估算
      3. 7.1.3 驱动热电冷却器 (TEC)
  9. 封装散热注意事项
    1. 8.1 DDW 封装
      1. 8.1.1 热性能
        1. 8.1.1.1 稳态热性能
        2. 8.1.1.2 瞬态热性能
    2. 8.2 PCB 材料推荐
  10. 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
    2. 9.2 电源
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电流检测和反馈

该器件在单路 H 桥模式下运行时支持 1 个 IPROPI 输出,在双路 H 桥模式下运行时支持 2 个 IPROPI 输出。

IPROPI 引脚输出的电流与 H 桥高侧 FET 中的电流成正比,由电流镜增益 AIPROPI 进行调节。可以使用方程式 1 计算出 IPROPI 输出电流。只有当电流在高侧 MOSFET 中从漏极流向源极时,方程式 1 中的 IHS1 和 IHS2 才有效。如果电流从源极流向漏极,则该通道的 IHS1 和 IHS2 的值为零。因此,IPROPI 引脚并不表示在快速衰减模式(滑行模式)或低侧慢速衰减模式下运行时的电流。IPROPI 引脚表示正向驱动、反向驱动和高侧慢速衰减下的 H 桥电流,从而可以在典型有刷直流电机应用中进行连续的电流监控。

甚至在滑行模式下,也可以在驱动或慢速衰减模式下短暂地重新启用驱动器,并在再次切换回滑行模式之前测量此电流,从而对电流进行采样。

方程式 1. IPROPI = (IHS1 + IHS2) x AIPROPI

应将每个 IPROPI 引脚连接到外部电阻器 (RIPROPI) 以接地,从而利用 IIPROPI 模拟电流输出在 IPROPI 引脚上产生一个成比例电压 (VIPROPI)。这样即可使用标准模数转换器 (ADC) 将负载电流作为 RIPROPI 电阻器两端的压降进行测量。可以根据应用中的预期负载电流来调节 RIPROPI 电阻器的大小,以利用控制器 ADC 的整个量程。该器件采用了一个内部钳位电路,可限制 VREF 引脚上相对于 VVREF 的 VIPROPI,并在出现输出过流或发生意外高电流事件时保护外部 ADC。

可以使用方程式 2 计算对应于输出电流的 IPROPI 电压。

方程式 2. VIPROPI (V) = IPROPI (A) x RIPROPI (Ω)

IPROPI 电压应小于 VREF 的最大建议值,即 3.3V。对于 RIPROPI 电阻器,10%、5%、1% 和 0.1% 都是有效的容差值。典型的建议值为 1%,这是性能与成本间的更佳权衡。

GUID-20220608-SS0I-S463-82BZ-QLR7X9J04MZW-low.svg图 6-4 集成电流检测

“电气特性”表中的 AERR 参数是 AIPROPI 增益的误差。它表示 IOUT 电流中增加的偏移量误差和增益误差带来的综合影响。