ZHCSUO9 February   2024 DRV8262-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
      1. 5.4.1 瞬态热阻抗和电流能力
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1  概述
    2. 6.2  功能方框图
    3. 6.3  特性说明
    4. 6.4  器件运行模式
      1. 6.4.1 双路 H 桥模式 (MODE1 = 0)
      2. 6.4.2 单路 H 桥模式 (MODE1 = 1)
    5. 6.5  电流检测和调节
      1. 6.5.1 电流检测和反馈
      2. 6.5.2 电流调节
        1. 6.5.2.1 混合衰减
        2. 6.5.2.2 智能调优动态衰减
      3. 6.5.3 使用外部电阻器进行电流检测
    6. 6.6  电荷泵
    7. 6.7  线性稳压器
    8. 6.8  VCC 电压电源
    9. 6.9  逻辑电平、三电平和四电平引脚图
    10. 6.10 保护电路
      1. 6.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 6.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 6.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 6.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 6.10.6 nFAULT 输出
      7. 6.10.7 故障条件汇总
    11. 6.11 器件功能模式
      1. 6.11.1 睡眠模式
      2. 6.11.2 工作模式
      3. 6.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 6.11.4 功能模式汇总
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动有刷直流电机
        1. 7.1.1.1 有刷直流电机驱动器典型应用
        2. 7.1.1.2 功率损耗计算 - 双路 H 桥
        3. 7.1.1.3 功率损耗计算 - 单路 H 桥
        4. 7.1.1.4 结温估算
        5. 7.1.1.5 应用性能曲线图
      2. 7.1.2 驱动步进电机
        1. 7.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 7.1.2.2 功率损耗计算
        3. 7.1.2.3 结温估算
      3. 7.1.3 驱动热电冷却器 (TEC)
  9. 封装散热注意事项
    1. 8.1 DDW 封装
      1. 8.1.1 热性能
        1. 8.1.1.1 稳态热性能
        2. 8.1.1.2 瞬态热性能
    2. 8.2 PCB 材料推荐
  10. 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
    2. 9.2 电源
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

瞬态热性能

驱动器可能会遇到不同的瞬态驱动条件,导致大电流在短时间内流动。这些条件可能包括

  • 转子最初静止时的电机启动。
  • 电机输出之一的电源或接地短路且触发过流保护时的故障条件。
  • 在有限的时间内为电机或螺线管短暂通电,然后再断电。

对于这些瞬态情况,除了铜面积和覆铜厚度之外,驱动持续时间是影响热性能的另一个因素。在瞬态情况中,热阻抗参数 ZθJA 表示结至环境热性能。本部分中的图展示了 DDW 封装的 1oz 和 2oz 铜布局的模拟热阻抗。这些图表表明,短电流脉冲具有更好的热性能。对于更短的驱动时间,器件的裸片尺寸和封装决定了热性能。对于更长的驱动脉冲,电路板布局布线对热性能的影响更大。这两个图表都显示了随着驱动脉冲持续时间的增加,层数和覆铜区导致的热阻抗分裂曲线。可以将长脉冲视为稳态性能。

GUID-20230308-SS0I-71NP-BJFL-B0G20MZCGXSS-low.svg图 8-4 1oz 铜布局的 DDW 封装结至环境热阻抗
GUID-20230308-SS0I-RXSP-S4PV-GCKKQQQTNCJ0-low.svg图 8-5 2oz 铜布局的 DDW 封装结至环境热阻抗