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有刷直流 (BDC) 电机驱动器
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DRV8262-Q1

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具有集成电流检测功能的汽车级 70V、20A 单路或双路 H 桥电机驱动器

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DRV8262-Q1

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产品详情

Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 70 Peak output current (A) 10 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 100 Sleep current (µA) 2 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO) Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Integrated Current Sensing, Low-Power Sleep Mode Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 70 Peak output current (A) 10 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 100 Sleep current (µA) 2 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO) Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Integrated Current Sensing, Low-Power Sleep Mode Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
HTSSOP (DDW) 44 113.4 mm² 14 x 8.1
  • 符合汽车应用要求的 AEC-Q100
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 功能安全型
    • 可帮助进行功能安全系统设计的文档
    • 单路或双路 H 桥电机驱动器
    • 驱动一个或两个有刷直流电机
    • 一个步进电机
    • 一个或两个热电冷却器 (TEC)
  • 4.5V 至 60V 工作电源电压范围
  • 低 RDS(ON)：
    • 100mΩ HS + LS（双路 H 桥）
    • 50mΩ HS + LS（单路 H 桥）
  • 高输出电流能力：
    • 双路 H 桥（24V，25°C）：8A 峰值
    • 单路 H 桥（24V，25°C）：16A 峰值

  • 可编程运行接口 -

    • 相位/使能 (PH/EN)

    • PWM (IN/IN)

  • 集成式电流检测和调节
    • 高侧 MOSFET 的电流检测
    • 每个 H 桥的检测输出 (IPROPI)
    • 最大电流下的检测精度 ± 4 %
  • 单独的逻辑电源电压 (VCC)
  • 可配置的关断时间 PWM 斩波
    • 7µs、16µs、24µs 或 32µs

  • 可编程故障恢复方法

  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
  • 低电流睡眠模式 (3µA)
  • 保护特性
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态输出 (nFAULT)
  • 符合汽车应用要求的 AEC-Q100
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 功能安全型
    • 可帮助进行功能安全系统设计的文档
    • 单路或双路 H 桥电机驱动器
    • 驱动一个或两个有刷直流电机
    • 一个步进电机
    • 一个或两个热电冷却器 (TEC)
  • 4.5V 至 60V 工作电源电压范围
  • 低 RDS(ON)：
    • 100mΩ HS + LS（双路 H 桥）
    • 50mΩ HS + LS（单路 H 桥）
  • 高输出电流能力：
    • 双路 H 桥（24V，25°C）：8A 峰值
    • 单路 H 桥（24V，25°C）：16A 峰值

  • 可编程运行接口 -

    • 相位/使能 (PH/EN)

    • PWM (IN/IN)

  • 集成式电流检测和调节
    • 高侧 MOSFET 的电流检测
    • 每个 H 桥的检测输出 (IPROPI)
    • 最大电流下的检测精度 ± 4 %
  • 单独的逻辑电源电压 (VCC)
  • 可配置的关断时间 PWM 斩波
    • 7µs、16µs、24µs 或 32µs

  • 可编程故障恢复方法

  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
  • 低电流睡眠模式 (3µA)
  • 保护特性
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态输出 (nFAULT)

DRV8262-Q1 是一款宽电压、高功率 H 桥电机驱动器，适用于 24V 和 48V 汽车应用。该器件集成了两个 H 桥来驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。DRV8262-Q1 在双路 H 桥模式下支持高达 8A 的峰值电流，在单路 H 桥模式下支持高达 16A 的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出以及保护电路。

在启动期间和高负载事件中，高侧 MOSFET 两端的集成电流检测功能可实现通过驱动器调节电机电流。利用可调外部电压基准，可设置电流限值。该器件还提供与每个 H 桥的电机电流成正比的输出电流。集成感应消除了对分流电阻的需求，因而可以节省电路板面积并降低系统成本。

该器件提供一种低功耗睡眠模式，可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括：电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV) 保护、输出过流 (OCP) 保护和器件过热 (OTSD) 保护。

DRV8262-Q1 是一款宽电压、高功率 H 桥电机驱动器，适用于 24V 和 48V 汽车应用。该器件集成了两个 H 桥来驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。DRV8262-Q1 在双路 H 桥模式下支持高达 8A 的峰值电流，在单路 H 桥模式下支持高达 16A 的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出以及保护电路。

在启动期间和高负载事件中，高侧 MOSFET 两端的集成电流检测功能可实现通过驱动器调节电机电流。利用可调外部电压基准，可设置电流限值。该器件还提供与每个 H 桥的电机电流成正比的输出电流。集成感应消除了对分流电阻的需求，因而可以节省电路板面积并降低系统成本。

该器件提供一种低功耗睡眠模式，可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括：电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV) 保护、输出过流 (OCP) 保护和器件过热 (OTSD) 保护。
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* 数据表 DRV8262-Q1 ：具有电流检测输出的 60V 单路或双路 H 桥电机驱动器 ，适用于 24V 和 48V 汽车应用 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 2月 8日
功能安全信息 DRV8262-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2024年 2月 16日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DRV8262EVM — DRV8262 采用 DDW 封装的单路或双路 H 桥电机驱动器评估模块

DRV8262EVM 展示了 DRV8262DDWR. 的特性和性能。它集成了两个 H 桥来驱动两个直流电机或一个双极步进电机。两个 H 桥可并联在一起以驱动一个电流更高的直流电机。

该器件可在 4.5V 至 65V 的电源电压范围内运行，能够驱动高达 5A 的满量程电流，并联时可驱动 10A 的电流。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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