ZHCS656A December   2011  – September 2016 CSD16327Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
    1.     Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模版开孔
    4. 7.4 Q3 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQG|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.2 Thermal Information

TA = 25°C (unless otherwise stated)
THERMAL METRIC MIN TYP MAX UNIT
RθJC Junction-to-case thermal resistance(1) 1.7 °C/W
RθJA Junction-to-ambient thermal resistance(1)(2) 55 °C/W
(1) RθJC is determined with the device mounted on a 1-in2 (6.45-cm2), 2-oz (0.071-mm) thick Cu pad on a 1.5-in × 1.5-in (3.81-cm × 3.81-cm), 0.06-in (1.52-mm) thick FR4 PCB. RθJC is specified by design, whereas RθJA is determined by the user’s board design.
(2) Device mounted on FR4 material with 1-in2 (6.45-cm2), 2-oz (0.071-mm) thick Cu.

CSD16327Q3 m0161-01_lps202.gif
Max RθJA = 55°C/W when mounted on 1-in2 (6.45-cm2) of 2-oz (0.071-mm) thick Cu.
CSD16327Q3 m0161-02_lps202.gif
Max RθJA = 160°C/W when mounted on a minimum pad area of 2-oz (0.071-mm) thick Cu.