ZHCS656A December   2011  – September 2016 CSD16327Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
    1.     Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模版开孔
    4. 7.4 Q3 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQG|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 修订历史记录

Changes from * Revision (December 2011) to A Revision

  • Added 器件和文档支持 部分Go
  • Changed 说明文字Go
  • Changed ID 持续漏极电流从 21A 更改为 22AGo
  • Changed IDM 从 112A 更改为 240AGo
  • Changed PD 功率损耗从 3W 更改为 2.8WGo
  • Changed 更改了绝对最大额定值 表中的备注 2Go
  • Changed RθJA from 56°C/W : to 55°C/WGo
  • Changed Figure 10 to reflect measured dataGo
  • Changed 机械数据部分更改为机械、封装和可订购信息 部分Go