ZHCS656A December   2011  – September 2016 CSD16327Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
    1.     Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模版开孔
    4. 7.4 Q3 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQG|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 25V、3.4mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗并经优化以适用于 5V 栅极驱动器 应用。

顶视图
CSD16327Q3 p0095-01_lps202.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 25 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 6.2 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 1.1 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS=3V 5 mΩ
VGS = 4.5V 4
VGS = 8V 3.4
VGS(th) 阈值电压 1.2 V

.
器件信息(1)

器件 包装介质 数量 封装 发货
CSD16327Q3 13 英寸卷带 2500 小外形尺寸无引线 (SON)
3.30mm × 3.30mm
塑料封装		 卷带式
CSD16327Q3T 7 英寸卷带 250
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 25 V
VGS 栅源电压 +10 / –8 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 60 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 112
持续漏极电流(1) 22
IDM 脉冲漏极电流(2) 240 A
PD 功率耗散(1) 2.8 W
功率耗散，TC = 25°C 74
TJ、
Tstg 		工作结温、
储存温度		 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 50A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 125 mJ
  1. RθJA = 45°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸，2 盎司覆铜上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 1.7°C/W，脉宽 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。