ZHCSVV1 April   2024 BQ25308

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 器件上电
        1. 8.3.1.1 上电复位 (POR)
        2. 8.3.1.2 REGN 稳压器上电
        3. 8.3.1.3 充电器上电
        4. 8.3.1.4 通过 EN 引脚启用和禁用充电器
        5. 8.3.1.5 从输入源拔出器件
      2. 8.3.2 电池充电管理
        1. 8.3.2.1 电池充电曲线
        2. 8.3.2.2 磷酸铁锂电池充电曲线
        3. 8.3.2.3 预充电
        4. 8.3.2.4 充电终止
        5. 8.3.2.5 电池再充电
        6. 8.3.2.6 充电安全计时器
        7. 8.3.2.7 热敏电阻温度监测
      3. 8.3.3 充电状态指示灯 (STAT)
      4. 8.3.4 保护功能
        1. 8.3.4.1 电压和电流监测
          1. 8.3.4.1.1 输入过压保护
          2. 8.3.4.1.2 输入电压动态电源管理 (VINDPM)
          3. 8.3.4.1.3 输入电流限制
          4. 8.3.4.1.4 逐周期电流限制
        2. 8.3.4.2 热调节和热关断
        3. 8.3.4.3 电池保护
          1. 8.3.4.3.1 电池过压保护 (VBAT_OVP)
          2. 8.3.4.3.2 电量耗尽电池充电抑制
        4. 8.3.4.4 ICHG 引脚开路和短路保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 禁用模式、HiZ 模式、睡眠模式、充电模式、终止模式和故障模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 典型应用
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 充电电压设置
          2. 9.2.1.2.2 充电电流设置
          3. 9.2.1.2.3 电感器选型
          4. 9.2.1.2.4 输入电容器
          5. 9.2.1.2.5 输出电容器
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 外部电源路径典型应用
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
        3. 9.2.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5 电气特性

VVBUS_UVLOZ < VVBUS < VVBUS_OVP 且 VVBUS > VBAT + VSLEEP，L = 2.2μH，TJ = -40°C 至 +125°C，典型值在 TJ = 25°C 下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
静态电流
IVBUS_REVS 从 BAT/SW 到 VBUS 的 VBUS 反向电流，TJ = -40°C 至 85°C VBAT = VSW = 4.5V，VBUS 短接至 GND，测量 VBUS 反向电流 0.07 3 µA
IQ_VBUS_DIS 禁用模式下的 VBUS 漏电流，TJ = -40°C 至 85°C VBUS = 5V，VBAT = 4V，充电器禁用，/EN 拉高 3.5 4.25 µA
IQ_BAT_HIZ HiZ 模式下的 BAT 和 SW 引脚漏电流，TJ = -40°C 至 65°C VBAT = VSW = 4.5V，VBUS 悬空 0.17 1 µA
VBUS 上电
VVBUS_OP VBUS 工作范围 4.1 17 V
VVBUS_UVLOZ VBUS 上电复位 VBUS 上升 3 3.8 V
VVBUS_UVLOZ_HYS VBUS 上电复位迟滞 VBUS 下降 250 mV
VVBUS_LOWV 导通 REGN 的条件 VBUS 上升，REGN 导通，VBAT = 3.2V 3.8 3.9 4 V
VVBUS_LOWV_HYS 导通 REGN 的条件，迟滞 VBUS 下降，REGN 关断，VBAT = 3.2V 300 mV
VSLEEP 进入睡眠模式阈值 VBUS 下降，VBUS - VBAT，VVBUS_LOWV < VBAT < VBATREG 30 60 100 mV
VSLEEPZ 退出睡眠模式阈值 VBUS 上升，VBUS - VBAT，VVBUS_LOWV < VBAT < VBATREG 110 157 295 mV
VVBUS_OVP_RISE VBUS 过压上升阈值 VBUS 上升，转换器停止开关 17 17.4 17.8 V
VVBUS_OVP_HYS VBUS 过压下降迟滞 VBUS 下降，转换器停止开关 750 mV
MOSFET
RDSON_Q1 VBUS 和 PMID 之间的顶部反向阻断 MOSFET 导通电阻 (Q1) VREGN = 5V 40 65 mΩ
RDSON_Q2 PMID 和 SW 之间的高侧开关 MOSFET 导通电阻 (Q2) VREGN = 5V 50 82 mΩ
RDSON_Q3 SW 和 GND 之间的低侧开关 MOSFET 导通电阻 (Q3) VREGN = 5V 45 72 mΩ
电池充电器
VBATREG 充电电压调节 VSET 引脚悬空，TJ = -40°C 至 +85°C 3.582 3.6 3.618 V
VSET 引脚接地，TJ = -40°C 至 +85°C 4.03 4.05 4.07 V
将 VSET 引脚连接至 51kΩ 电阻器，TJ = -40°C 至 +85°C 4.13 4.15 4.17 V
将 VSET 引脚连接至 10kΩ 电阻器，TJ = -40°C 至 +85°C 4.179 4.2 4.221 V
ICHG 充电电流调节 ICHG 设置为 1.72A 且 RICHG = 23.2kΩ 1.55 1.72 1.89 A
ICHG 设置为 1.0A 且 RICHG = 40.2kΩ 0.9 1 1.1 A
ICHG 设置为 0.5A 且 RICHG = 78.7kΩ 0.4 0.5 0.6 A
ITERM 终止电流 ICHG = 1.72A，ICHG 的 10%，RICHG = 23.2kΩ 138 172 206 mA
ICHG = 1.0A，ICHG 的 10%，RICHG = 40.2kΩ 70 100 130 mA
ICHG = 0.5A，ITERM = 63mA，RICHG = 78.7kΩ 33 63 93 mA
IPRECHG 预充电电流 ICHG = 1.72A，ICHG 的 10%，RICHG = 23.2kΩ 115 172 225 mA
ICHG = 1.0A，ICHG 的 10%，RICHG = 40.2kΩ 50 100 150 mA
ICHG = 0.5A，ICHG 的 10%，RICHG = 78.7kΩ 28 63 98 mA
VBAT_PRECHG_RISE_LFP 磷酸铁锂的 VBAT 预充电上升阈值 涓流至预充电，VBATREG = 3.6V 2.05 2.2 2.35 V
VBAT_PRECHG_FALL_LFP 磷酸铁锂的 VBAT 预充电上升阈值 预充电至涓流，VBATREG = 3.6V 1.85 2 2.15 V
IBAT_TRICKLE_LFP 磷酸铁锂的涓流充电电流 VBAT < VBAT_PRECHG_FALL，VBATREG = 3.6V 25 35 46 mA
VBAT_SHORT_RISE_LFP 磷酸铁锂的 VBAT 短路上升阈值 短路至涓流，VBATREG = 3.6V 1.1 1.2 1.3 V
VBAT_SHORT_RISE VBAT 短路上升阈值 短路至预充电，VBATREG = 4.05V/4.15V/4.2V 2.05 2.2 2.35 V
VBAT_SHORT_FALL_LFP 磷酸铁锂的 VBAT 短路下降阈值 涓流至短路，VBATREG = 3.6V 0.9 1 1.1 V
VBAT_SHORT_FALL VBAT 短路下降阈值 预充电至短路，VBATREG = 4.05V/4.15V/4.2V 1.85 2 2.15 V
IBAT_SHORT 进入电池的漏电流 0.5V < VBAT < VBAT_SHORT_FALL，TJ = 25°C -1.5 1 uA
0.5V < VBAT < VBAT_SHORT_FALL，TJ = -40°C 至 +85°C -1.5 5 uA
VBAT_LOWV_RISE 上升阈值 预充电至快速充电 2.9 3 3.1 V
VBAT_LOWV_FALL 下降阈值 快速充电至预充电 2.6 2.7 2.8 V
VRECHG_HYS 低于 VBATREG 时的再充电迟滞 VBAT 下降 110 160 216 mV
输入电压/电流调节
VINDPM_MIN 最小输入电压调节 VBAT = 3.5V，在 PMID 引脚上测得 3.9 4.0 4.1 V
VINDPM 输入电压调节 VBAT = 4V，在 PMID 引脚上测得，VINDPM = 1.085*VBAT + 0.025V 4.27 4.37 4.47 V
IINDPM_3A 输入电流调节 3 3.35 3.7 A
电池过压保护
VBAT_OVP_RISE
电池过压上升阈值

 VBAT 上升，以占 VBATREG 的百分比表示 (VBATREG = 4.15V) 104 %
VBAT_OVP_RISE 电池过压上升阈值 VBAT 上升，以占 VBATREG 的百分比表示 101.9 103.5 105 %
VBAT_OVP_FALL 电池过压下降阈值 VBAT 下降，以占 VBATREG 的百分比表示 100.0 101.6 103.1 %
转换器保护
VBTST_REFRESH 自举刷新比较器阈值 请求 LSFET 刷新脉冲时 (VBTST - VSW)，VBUS = 5V 2.7 3 3.3 V
IHSFET_OCP HSFET 逐周期过流限制阈值 5.2 6.2 6.7 A
STAT 指示
ISTAT_SINK STAT 引脚灌电流 6 mA
FBLINK STAT 引脚闪烁频率 1 Hz
FBLINK_DUTY STAT 引脚闪烁占空比 50 %
热调节和热关断
TREG 结温调节精度 111 120 133 °C
TSHUT 热关断上升阈值 温度升高 150 °C
热关断下降阈值 温度降低 125 °C
降压模式运行
FSW PWM 开关频率 SW 节点频率 1.02 1.2 1.38 MHz
DMAX 最大 PWM 占空比 97 %
REGN LDO
VREGN_UVLO REGN UVLO VVBUS 上升 3.85 V
VREGN REGN LDO 输出电压 VVBUS = 5V，IREGN = 0mA 至 16mA 4.2 5 V
VREGN REGN LDO 输出电压 VVBUS = 12V，IREGN = 16mA 4.5 5.4 V
ICHG 设置
VICHG ICHG 引脚稳压电压 993 998 1003 mV
RICHG_SHORT_FALL 用于禁用充电的电阻 1 kΩ
RICHG_OPEN_RISE 用于禁用充电的最小电阻 565 kΩ
RICHG ICHG 上的可编程电阻 11.7 250 kΩ
RICHG_MIN_SLE1 ICHG 上的最小可编程电阻 11.7 kΩ
RICHG_HIGH 用于将预充电和终止电流钳位至 63mA 的 ICHG 设置电阻器阈值 RICHG > RICHG_HIGH 60 65 70 kΩ
KICHG 充电电流比 ICHG 设置为 1.72A 且 RICHG = 23.2kΩ，ICHG = KICHG/RICHG 36000 40000 44000 AxΩ
ICHG 设置为 1.0A 且 RICHG = 40.2kΩ，ICHG = KICHG/RICHG 36000 40280 44000 AxΩ
ICHG 设置为 0.5A 且 RICHG = 78.7kΩ，ICHG = KICHG/RICHG 32000 40700 48000 AxΩ
冷/热热敏电阻比较器
VT1% TCOLD (0°C) 阈值，如果热敏电阻温度低于 T1，则充电暂停 VTS 上升，以占 VREGN 的百分比表示 72.68 73.5 74.35 %
VT1% VTS 下降 以占 VREGN 的百分比表示 70.68 71.5 72.33 %
VT3% THOT (45°C) 阈值，如果热敏电阻温度高于 T_HOT，则充电暂停 VTS 下降，以占 VREGN 的百分比表示 46.35 47.25 48.15 %
VT3% VTS 上升 以占 VREGN 的百分比表示 47.35 48.25 49.15 %
逻辑 I/O 引脚特性（POL、EN）
VILO 输入低阈值 下降 0.4 V
VIH 输入高阈值 上升 1.3 V
IBIAS EN 引脚上的高电平漏电流 /EN 引脚上拉至 1.8V 1 µA