TIDA-01605
具有二級關閉保護功能的車用雙通道 SiC MOSFET 閘極驅動器參考設計
TIDA-01605
概覽
此參考設計是一種符合車用資格的隔離式閘極驅動器解決方案，適用於在半橋配置中驅動碳化矽 (SiC) MOSFET。此設計包含兩個分別用於雙通道隔離式閘極驅動器的推拉式偏壓電源，其中每個電源提供 +15V 和 -4V 輸出電壓以及 1W 輸出功率。閘極驅動器可提供 4A 源極和 6A 汲極峰值電流。此驅動器採用強化型隔離，可承受 8kV 峰值隔離電壓和 5.7kV RMS 隔離電壓以及 > 100V/ns 共模暫態抗擾度 (CMTI)。此參考設計包含兩階關斷電路，可在短路情況下保護 MOSFET 免受電壓過衝的影響。DESAT 偵測閾值和第二級關斷延遲時間是可配置的。此設計採用 ISO7721-Q1 數位隔離器來介接故障訊號和重設訊號。整體採用 40mm × 40mm 的精巧型雙層 PCB 電路板設計。
特點
- 精巧型雙通道閘極驅動器解決方案，用於在半橋配置中驅動 SiC MOSFET
- 4A 源極和 6A 汲極峰值電流驅動能力，適用於驅動 SiC MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，切換頻率高達 500kHz
- 精巧、高效率的內建隔離式偏壓電源，具有 15V 和 –4V 輸出
- 離散式兩階關斷功能可實現短路保護，具有可調整的電流限制和延遲（消隱）時間
- 提供 > 100V/ns 的高 CMTI，以及強化的 8kV 峰值電壓和 5.7kV RMS 電壓隔離
已開發完全組裝的電路板，僅供測試與性能驗證，且為非賣品。
設計檔案與產品
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產品
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| 類型 | 標題 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |||
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| * | 設計指南 | Automotive Dual-Channel, SiC MOSFET Gate Driver Reference Design (Rev. B) | 2020/6/3 | |||
| 白皮書 | Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps | PDF | HTML | 2023/8/31 | |||
| 白皮書 | High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies | 2014/10/16 |