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UCC21530-Q1

現行

Automotive Reinforced, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ enable, programable dead time

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UCC21551-Q1 現行 Automotive Reinforced, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ enable, programable dead time Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21530-Q1

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產品詳細資料

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.
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* 資料表 UCC21530-Q1 4A, 6A, 5.7kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3mm Channel-to-Channel Spacing datasheet (Rev. F) PDF | HTML 2024/9/17
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) 2026/7/15
白皮書 以可靠且經濟實惠的隔離技術解決高 電壓設計挑戰 PDF | HTML PDF | HTML 2026/5/28
證書 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) 2025/9/8
應用說明 Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 2024/1/25
證書 UCC21540 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023/8/17
證書 UCC215xx CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023/8/17
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021/12/16
證書 CSA Product Certificate (Rev. A) 2019/8/15
技術文章 Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC PDF | HTML 2019/2/9

設計與開發

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開發板

UCC21530EVM-286 — UCC21530 隔離式雙通道驅動器評估模組

UCC21530EVM-286 專為評估 UCC21530DWK 而設計，該裝置為隔離式雙通道柵極驅動器，具備 4A 源極與 6A 汲極峰值電流、12V UVLO、啟用（高電位作動）功能，以及通道間 3.3mm 沿面距離。此 EVM 可用作驅動電源系統中 IGBT 和 SiC MOSFET 的參考設計。
使用指南: PDF | HTML
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有庫存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
模擬型號

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice 模型
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參考設計

PMP21553 — 安全隔離主要 SiC MOSFET 驅動器參考設計

此參考設計為汽車電池充電系統提供了整合式高壓側與低壓側隔離式一次閘極驅動器解決方案，採用了兩個推拉式 SN6505B 變壓器驅動器和一個隔離式雙通道閘極驅動器 UCC21521C。
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參考設計

PMP21561 — 安全隔離次級 SiC MOSFET 驅動器參考設計

此參考設計為汽車電池充電系統提供了整合式高壓側與低壓側隔離式二次閘極驅動器解決方案，採用了兩個推拉式 SN6505B 變壓器驅動器和一個隔離式雙通道閘極驅動器 UCC21521C。
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參考設計

PMP21999 — 使用 PCB 繞組變壓器的 6.6 kW、雙向 CLLLC 共振轉換器參考設計

此 6.6kW、雙向，雙主動橋式共振轉換器參考設計允許 380VDC 至 600VDC 的輸入和 280VDC 至 450VDC 的輸出。此設計採用 PCB 繞組變壓器和羅哥斯基線圈同步整流器 (SR) 控制，以實現功率密度和效率最佳化。此設計採用子卡方法，包括 C2000™ 控制器 (TMDSCNCD280049C)、SiC 驅動器 (PMP22001 和 PMP22002) 和偏壓電源 (PMP22003)。此設計擁有 500-kHz 共振頻率和 300-kHz ~ 700-kHz 運算頻率，可達峰值 98% 效率。
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參考設計

TIDA-01605 — 具有二級關閉保護功能的車用雙通道 SiC MOSFET 閘極驅動器參考設計

此參考設計是一種符合車用資格的隔離式閘極驅動器解決方案，適用於在半橋配置中驅動碳化矽 (SiC) MOSFET。此設計包含兩個分別用於雙通道隔離式閘極驅動器的推拉式偏壓電源，其中每個電源提供 +15V 和 -4V 輸出電壓以及 1W 輸出功率。閘極驅動器可提供 4A 源極和 6A 汲極峰值電流。此驅動器採用強化型隔離，可承受 8kV 峰值隔離電壓和 5.7kV RMS 隔離電壓以及 > 100V/ns 共模暫態抗擾度 (CMTI)。此參考設計包含兩階關斷電路，可在短路情況下保護 MOSFET 免受電壓過衝的影響。DESAT 偵測閾值和第二級關斷延遲時間是可配置的。此設計採用 (...)
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參考設計

TIDM-02002 — 適用於 HEV/EV 車載充電器的雙向 CLLLC 共振雙主動橋式 (DAB) 參考設計

具有雙向功率流功能和軟切換特性的 CLLLC 共振 DAB ，是混合動力電動車/電動車 (HEV/EV) 車載充電器和能源儲存應用的理想選擇。此設計說明在閉電壓和閉電流迴路模式中使用 C2000™ MCU 控制此電源拓撲。此設計提供的軟硬體可協助加快
上市時間。
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參考設計

TIDM-02009 — 經 ASIL D 安全概念評估的高速牽引、雙向 DC/DC 轉換參考設計

此參考設計展現如何以單一 TMS320F28388D 即時 C2000 MCU 控制 HEV 或 EV 牽引逆變器和雙向 DC-DC 轉換器。牽引控制運用軟體式解析器轉數位轉換器 (RDC) 將馬達驅動至高達 20,000 RPM 的高速。DC-DC 轉換器則採用尖峰電流模式控制 (PCMC) 技術，以及全橋相移式轉換器 (PSFB) 拓撲與同步整流 (SR) 機制。牽引變流器級使用由 UCC5870-Q1 智慧閘極驅動器驅動的碳化矽 (SiC) 功率級。PCMC 波形是使用最先進的 PWM 模組和比較器子系統 (CMPSS)中的內建傾斜補償產生。ASIL 分解系統功能安全概念已通過 TÜV (...)

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參考設計

TIDM-02012 — 採用 MathWorks® 的高電壓 HEV/EV HVAC eCompressor 馬達控制參考設計

TIDM-02012 是一款高電壓、5-kW 參考設計，專為 HEV/EV 壓縮機 (eCompressor) 應用而打造，由中階性能 C2000™ TMS320F28003x 即時 MCU 控制。旨在以 400-V 與 800-V DC-bus 進行評估，涵蓋較高電池電壓的市場趨勢。  以 controlCARD 為架構的設計，讓使用者能評估多種 MCU 和閘極驅動器選項，並且可隨需調整以支援 C2000™ 產品組合中的其他裝置，包括未來發展藍圖裝置，以滿足日益增長的網路安全性、功能安全性和其他汽車市場需求。

MathWorks (...)

支援產品和硬體
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

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