硬體開發
LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card
此參考設計將展示混合磁滯控制 (HHC) 方法,是配備 C2000 F28004x 微控制器的半橋 LLC 階段上之電流模式控制方式。硬體以 TIDA-010062 為基礎,為 1-kW、80 Plus 鈦金屬、GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 與半橋式 LLC 參考設計。針對混合磁滯控制新增獨立感應卡,可在共振電容器上重新產生電壓。
相較於單迴路電壓模式控制 (VMC) 方法,HHC LLC 階段展示較佳的暫態回應與簡單控制迴路設計。
支援產品和硬體
硬體開發
參考設計
開發板
LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card
硬體開發
參考設計
開發板
TMDSCNCD280025C — TMS320F280025C controlCARD evaluation module
此參考設計將展示混合磁滯控制 (HHC) 方法,是配備 C2000 F28004x 微控制器的半橋 LLC 階段上之電流模式控制方式。硬體以 TIDA-010062 為基礎,為 1-kW、80 Plus 鈦金屬、GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 與半橋式 LLC 參考設計。針對混合磁滯控制新增獨立感應卡,可在共振電容器上重新產生電壓。
相較於單迴路電壓模式控制 (VMC) 方法,HHC LLC 階段展示較佳的暫態回應與簡單控制迴路設計。
支援產品和硬體
硬體開發
參考設計
TMDSCNCD280025C — TMS320F280025C controlCARD evaluation module
硬體開發
參考設計
TMDSCNCD280039C — TMS320F280039C evaluation module controlCARD
此參考設計將展示混合磁滯控制 (HHC) 方法,是配備 C2000 F28004x 微控制器的半橋 LLC 階段上之電流模式控制方式。硬體以 TIDA-010062 為基礎,為 1-kW、80 Plus 鈦金屬、GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 與半橋式 LLC 參考設計。針對混合磁滯控制新增獨立感應卡,可在共振電容器上重新產生電壓。
相較於單迴路電壓模式控制 (VMC) 方法,HHC LLC 階段展示較佳的暫態回應與簡單控制迴路設計。
支援產品和硬體
硬體開發
參考設計
子卡
TMDSCNCD280039C — TMS320F280039C evaluation module controlCARD
硬體開發
參考設計
子卡
TMDSCNCD280049C — F280049C evaluation module for C2000™ MCU controlCARD™
此參考設計將展示混合磁滯控制 (HHC) 方法,是配備 C2000 F28004x 微控制器的半橋 LLC 階段上之電流模式控制方式。硬體以 TIDA-010062 為基礎,為 1-kW、80 Plus 鈦金屬、GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 與半橋式 LLC 參考設計。針對混合磁滯控制新增獨立感應卡,可在共振電容器上重新產生電壓。
相較於單迴路電壓模式控制 (VMC) 方法,HHC LLC 階段展示較佳的暫態回應與簡單控制迴路設計。