PMP41078

采用 GaN HEMT 的高压转低压直流/直流转换器参考设计

PMP41078

设计文件

概述

此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)的 3.5kW 高压转低压直流/直流转换器。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中,转换器使用了尺寸更小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求,转换器使用了双通道有源钳位电路。

特性
  • 基于 GaN 的相移全桥 (PSFB) 采用 LMG3522 且通过 C29 微控制器单元 (MCU) 进行控制
  • 开关频率为 200kHz,磁体尺寸比 100kHz 的情况低 35%
  • 200kHz、400V 输入电压、13.5V 输出电压、大约 1kW 时效率为 95.48%
  • 双有源钳位电路适用于高频场景和低同步整流器 (SR) MOSFET 电压应力
  • 轻负载效率优化可将效率提升高达 5%
输出电压选项 PMP41078.1
Vin (Min) (V) 200
Vin (Max) (V) 450
Vout (Nom) (V) 14
Iout (Max) (A) 250
Output Power (W) 3500
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Full Bridge- Phase Shifted
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设计文件和产品

设计文件

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参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

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产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

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低侧驱动器

UCC27332-Q1具有 20V VDD 和使能端的汽车级 9A/9A 单通道栅极驱动器

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变压器驱动器

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多通道 IC (PMIC)

TPS653860-Q1适用于安全相关应用的汽车级 2.3V 至 36V、2.8A 电源管理 IC (PMIC)

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氮化镓 (GaN) 功率级

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霍尔效应电流传感器

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测试报告 High-Voltage to Low-Voltage DC-DC Converter Reference Design With GaN HEMT PDF | HTML 2024年 8月 27日

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