UCC27423

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具有 5V UVLO、使能功能和反相输入的 4A/4A 双通道栅极驱动器

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产品详情

Number of channels

2

Power switch

IGBT, MOSFET

Peak output current (A)

4

Input supply voltage (min) (V)

4

Input supply voltage (max) (V)

15

Features

Enable pin

Operating temperature range (°C)

-40 to 105

Rise time (ns)

20

Fall time (ns)

15

Propagation delay time (µs)

0.025

Input threshold

CMOS, TTL

Channel input logic

Inverting

Input negative voltage (V)

0

Rating

Catalog

Driver configuration

Inverting

Number of channels

2

Power switch

IGBT, MOSFET

Peak output current (A)

4

Input supply voltage (min) (V)

4

Input supply voltage (max) (V)

15

Features

Enable pin

Operating temperature range (°C)

-40 to 105

Rise time (ns)

20

Fall time (ns)

15

Propagation delay time (µs)

0.025

Input threshold

CMOS, TTL

Channel input logic

Inverting

Input negative voltage (V)

0

Rating

Catalog

Driver configuration

Inverting

HVSSOP (DGN)

8

14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)

SOIC (D)

8

29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)

PDIP (P)

8

92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm)

行业标准引脚
每个驱动器的使能功能
高电流驱动能力：±4A
独特的双极和 CMOS 真正驱动输出级可在 MOSFET 米勒阈值下提供高电流
与电源电压无关的 TTL/CMOS 兼容输入
1.8nF 负载时的上升时间和下降时间典型值分别为 20ns 和 15ns
输入下降和上升时的典型传播延迟时间分别为 25ns 和 35ns
4V 至 15V 电源电压
可以并联双输出以获得更高的驱动电流
采用热增强型 MSOP PowerPAD™ 封装
额定温度为 -40°C 至 125°C

行业标准引脚
每个驱动器的使能功能
高电流驱动能力：±4A
独特的双极和 CMOS 真正驱动输出级可在 MOSFET 米勒阈值下提供高电流
与电源电压无关的 TTL/CMOS 兼容输入
1.8nF 负载时的上升时间和下降时间典型值分别为 20ns 和 15ns
输入下降和上升时的典型传播延迟时间分别为 25ns 和 35ns
4V 至 15V 电源电压
可以并联双输出以获得更高的驱动电流
采用热增强型 MSOP PowerPAD™ 封装
额定温度为 -40°C 至 125°C

UCC2742x 系列高速双路 MOSFET 驱动器可向容性负载提供大峰值电流。该器件提供了 3 个标准逻辑选项的组合：双路反相、双路同相以及一路反相和一路同相。热增强型 8 引脚 PowerPAD™ MSOP 封装 (DGN) 大大降低了热阻以改善长期可靠性。它还采用标准 SOIC-8 (D) 或 PDIP-8 (P) 封装。

通过使用本身能够尽可能减少击穿电流的设计，这些驱动器可在 MOSFET 开关切换期间，在米勒平坦区域提供最需要的 4A 电流。独特的双极和 MOSFET 混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。

UCC2742x 提供使能 (ENB) 功能，以更好地控制驱动器应用的运行。在引脚 1 和 8 上实现了 ENBA 和 ENBB，之前这些引脚在业界通用引脚排列中未使用。它们内部上拉至 V DD 电源以实现高电平有效逻辑运行，并且可保持断开连接状态以实现标准运行。

UCC2742x 系列高速双路 MOSFET 驱动器可向容性负载提供大峰值电流。该器件提供了 3 个标准逻辑选项的组合：双路反相、双路同相以及一路反相和一路同相。热增强型 8 引脚 PowerPAD™ MSOP 封装 (DGN) 大大降低了热阻以改善长期可靠性。它还采用标准 SOIC-8 (D) 或 PDIP-8 (P) 封装。

通过使用本身能够尽可能减少击穿电流的设计，这些驱动器可在 MOSFET 开关切换期间，在米勒平坦区域提供最需要的 4A 电流。独特的双极和 MOSFET 混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。

UCC2742x 提供使能 (ENB) 功能，以更好地控制驱动器应用的运行。在引脚 1 和 8 上实现了 ENBA 和 ENBB，之前这些引脚在业界通用引脚排列中未使用。它们内部上拉至 V DD 电源以实现高电平有效逻辑运行，并且可保持断开连接状态以实现标准运行。

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设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 具有使能端的双路 4A 高速低侧 MOSFET 驱动器评估模块 (EVM)

UCC2742xQ1 EVM 是一款高速双 MOSFET 评估模块，提供了用于快速、轻松启动 UCC2742xQ1 驱动器的测试平台。评估模块由 4V 至 15V 外部单电源供电，配有一整套测试点和跳线。所有器件均采用单独的输入和输出线路，且共享一个公共接地。评估模块具备使能 (ENBL) 功能，旨在更好地控制驱动器应用的运行，器件的驱动器信号可通过同一使能引脚启用或禁用。

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