主页 电源管理 栅极驱动器 隔离式栅极驱动器
主页
电源管理
栅极驱动器
隔离式栅极驱动器

UCC21530

正在供货

具有启用引脚和可编程死区时间的增强型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

立即订购
数据表

可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
UCC21551 正在供货 具有启用功能、可编程死区时间的增强型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21530

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

该器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

该器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
filter 查找其他 隔离式栅极驱动器
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 8
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC21530 具有 3.3mm 通道到通道间距的 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024-11-8
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) 2026-7-15
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) 2025-9-8
应用手册 栅极驱动器电路中窄脉冲宽度的影响 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024-1-26
证书 UCC215xx CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023-8-17
应用简报 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-11-14
证书 CSA Product Certificate (Rev. A) 2019-8-15
技术文章 Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations PDF | HTML 2019-8-6

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC21530EVM-286 — UCC21530 隔离式双通道驱动器评估模块

UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK，后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能（高电平有效）功能和 3.3mm 通道间爬电距离的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-00366 — 具有电流、电压和温度保护功能的增强型隔离式三相逆变器参考设计

此参考设计提供了额定功率最高 10kW 的三相逆变器，该逆变器采用增强型隔离式栅极驱动器 UCC21530、增强型隔离式放大器 AMC1301 和 AMC1311 以及 MCU TMS320F28027 设计而成。通过使用 AMC1301 测量与 MCU 内部 ADC 连接的电机电流，并为 IGBT 栅极驱动器使用自举电源，可以降低系统成本。该逆变器根据设计具有针对过载、短路、接地故障、直流母线欠压/过压和 IGBT 模块过温的保护功能。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-010054 — 适用于 3 级电动汽车充电站的双向双有源电桥参考设计

该参考设计概述了单相双有源电桥 (DAB) 直流/直流转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、器件数量减少和效率高等优势。该设计在功率密度、成本、重量、电隔离、高电压转换比和可靠性等关键要素方面大有裨益，是电动汽车充电站和能量存储应用的理想之选。DAB 中的模块化和对称结构能堆叠多个转换器，实现高功率吞吐量和双向运行模式，从而支持电池充电和放电应用。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

查看全部论坛主题 查看英文版全部论坛主题

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供，并不构成 TI 规范。请参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问，请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频