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UCC21330

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具有禁用功能、可编程死区时间的基础型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)
  • 通用:双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器

  • 结温范围:–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
  • 开关参数:
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 通用:双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器

  • 结温范围:–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
  • 开关参数:
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用

UCC21330 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。

UCC21330 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性,UCC21330 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21330 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。

UCC21330 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性,UCC21330 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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* 数据表 UCC21330x 4A/6A 3kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024-9-30

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21220EVM-009 旨在用于评估 UCC21220,后者是一款具备 4.0A 源极峰值电流和 6.0A 峰值沉降电流能力的 3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian

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