UCC21220A
- 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
- 支持基本隔离和功能隔离
- CMTI 大于 125V/ns
- 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- 开关参数：
- 33ns 典型传播延迟
- 5ns 最大脉宽失真
- 10µs 最大 VDD 上电延迟
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- 结温范围 (Tj) –40°C 至 150°C
- 窄体 SOIC-16 (D) 封装
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 安全相关认证：
- 4242VPK 隔离，符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准（计划）
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离（计划）
- 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证（计划）
UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET，借助超过 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。
这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。
保护特性包括以下几项：DIS 引脚设置为高电平时会同时关断两个输出，所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能，有源下拉保护功能会在未上电或悬空时将输出电压箝位在 2V 以下。
凭借这些特性，这些器件可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | UCC21220、UCC21220A 具有高噪声抗扰度的 4A/6A 双通道基本隔离式和功能隔离式栅极驱动器 数据表 (Rev. G) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2024-12-17 |
| * | 用户指南 | Gate Drive Voltage vs. Efficiency | 2019-4-25 | |||
| 证书 | VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) | 2026-6-11 | ||||
| 白皮书 | 隔离式栅极驱动器的影响 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2021-4-14 | |||
| 应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020-4-29 | |||
| 应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020-4-29 | |||
| 测试报告 | Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design | 2020-4-24 | ||||
| 证书 | UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) | 2019-7-22 | ||||
| 应用简报 | How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A | 2019-3-6 | ||||
| 应用手册 | Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers | 2018-7-19 | ||||
| 应用手册 | Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 | 2018-6-6 | ||||
| 白皮书 | Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters | 2018-6-6 |
设计与开发
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评估板
UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块
UCC21220EVM-009 旨在用于评估 UCC21220，后者是一款具备 4.0A 源极峰值电流和 6.0A 峰值沉降电流能力的 3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南:
PDF
参考设计
PMP30446 — 采用标准 Si-MOSFET 的 99% 峰值效率、585W 高压降压参考设计
此参考设计将 450V 至 780V 的直流输入源转换为 1.5A、390V 非隔离式输出。由于其实际功率级仅使用标准的器件组件，该参考设计是 SiC FET 和 SiC 二极管降压转换器的替代解决方案。为了使用额定值为 600V 的器件，将输入源拆分，从而允许两个相同的降压级共用中心点。单个耦合电感 (1:1) 可自动平衡中心点。如果两个 FET 出现电压不均衡，或其栅极驱动延迟时间略有差异，两个小型串联电感器可限制每个分支的电流。在 CRM 模式（临界导通模式）下，该转换器可最大程度地降低开关损耗，从而在 450V 输入电压和满载条件下实现 99% 的峰值效率。
参考设计
PMP40500 — 54VDC 输入，12V、42A 输出半桥参考设计
这款 12V、42A 输出半桥参考设计适用于有线网络园区和分支交换机中的总线转换器。该设计具有高效率和各种故障保护功能（过流和短路）。该设计对使用 3kVRMS 基本和功能隔离式栅驱动器 UCC21220D、UCC21220AD、UCC21222D 和使用 5.7kRMS 增强型隔离式栅驱动器 UCC21540D、UCC21540DWK 及 UCC21541DW 的效率进行了比较。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 16 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。