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UC1825B-SP

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Radiation-hardened, QML-V, 30V input, 2A dual-output 1MHz PWM controller

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UC1825B-SP

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产品详情

Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Control mode Peak current mode Features Adjustable switching frequency, Enable/Shutdown, Error amplifier, Integrated gate drivers, Programmable soft start, Soft start Duty cycle (max) (%) 80
Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Control mode Peak current mode Features Adjustable switching frequency, Enable/Shutdown, Error amplifier, Integrated gate drivers, Programmable soft start, Soft start Duty cycle (max) (%) 80
CFP (HKT) 16 72.136 mm² (0 mm × 0 mm) DIESALE (KGD) — See data sheet
  • 符合 QML-V 标准，SMD 5962-8768106
  • 5962 R8768106VYC：
    • 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID) (1)
  • 与电压或电流模式拓扑兼容
  • 实际工作开关频率高达 1MHz
  • 50ns 传播延迟到输出
  • 大电流双图腾柱输出（2A 峰值）
  • 宽带宽误差放大器
  • 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑
  • 逐脉冲电流限制
  • 软启动/最大占空比控制
  • 带有迟滞功能的欠压锁定
  • 低启动电流 (1.1mA)

(1)辐射耐受性是基于初始器件认证（剂量率 = 10mrad(Si)/s）获得的典型值。提供辐射批次验收测试 - 详细信息请联系厂家。
  • 符合 QML-V 标准，SMD 5962-8768106
  • 5962 R8768106VYC：
    • 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID) (1)
  • 与电压或电流模式拓扑兼容
  • 实际工作开关频率高达 1MHz
  • 50ns 传播延迟到输出
  • 大电流双图腾柱输出（2A 峰值）
  • 宽带宽误差放大器
  • 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑
  • 逐脉冲电流限制
  • 软启动/最大占空比控制
  • 带有迟滞功能的欠压锁定
  • 低启动电流 (1.1mA)

(1)辐射耐受性是基于初始器件认证（剂量率 = 10mrad(Si)/s）获得的典型值。提供辐射批次验收测试 - 详细信息请联系厂家。

UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时，大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统，此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚，此引脚可对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行，并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压闭锁期间，输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出，此输出被设计用来拉、灌来自电容负载（诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极）的高峰值电流。导通状态设计为高电平。

UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时，大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统，此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚，此引脚可对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行，并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压闭锁期间，输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出，此输出被设计用来拉、灌来自电容负载（诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极）的高峰值电流。导通状态设计为高电平。
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设计与开发

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评估板

UC1825BEVM-CVAL — 5V/50W 推挽评估模块

UC1825B-SP EVM 使用推挽式拓扑展示 SP 过程的功能。该控制器与 UC1901-SP 配合使用时，能够满足隔离和非隔离调节要求。此设计能够使用输出扼流圈，以允许非常低的纹波，从而实现高输出电压精度。
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UC1825 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM653.TSC (5219 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

UC1825 Unencrypted TINA-TI Transient Spice Model

SLUM673.ZIP (6 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP22680 — 带磁反馈的 40W、±15V 反激式参考设计

此参考设计在 40W 下可从 70V 至 120V 直流输入电压生成隔离式 ±15V 输出。该设计使用磁反馈电路来替代光耦合器的功能。
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参考设计

PMP23033 — 具有磁反馈的 40W 5V 单开关正向转换器参考设计

此参考设计在 40W 下从 60V 至 120V 直流输入电压生成隔离式 5V 电压。该设计使用磁反馈电路来替代光耦合器的功能。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
CFP (HKT) 16 Ultra Librarian
DIESALE (KGD) — Ultra Librarian
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