主页 电源管理 栅极驱动器 半桥驱动器
主页
电源管理
栅极驱动器
半桥驱动器

TPS7H6013-SP

正在供货

Radiation-hardened, QML-V, 60V half-bridge GaN gate driver

立即订购
数据表

TPS7H6013-SP

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 468.72 mm² (16.74 mm × 28 mm)
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配

TPS7H60x3-SP 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等级）、TPS7H6013-SP（60V 等级）和 TPS7H6023-SP（22V 等级）。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x3-SP 驱动器都具有分离栅输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

TPS7H60x3-SP 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等级）、TPS7H6013-SP（60V 等级）和 TPS7H6023-SP（22V 等级）。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x3-SP 驱动器都具有分离栅输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。
filter 查找其他 半桥驱动器
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 15
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS7H60x3-SP 耐辐射保障 1.3A、2.5A、 半桥 GaN FET 栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024-4-27
* 辐射与可靠性报告 TPS7H60X3-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) PDF | HTML 2024-8-13
* 辐射与可靠性报告 TPS7H60X3-SP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) PDF | HTML 2024-6-17
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6013-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report PDF | HTML 2024-4-11
* SMD TPS7H6013-SP SMD 5962-22201 2024-4-30
选择指南 TI Space Products (Rev. L) 2026-3-27
应用手册 气密性封装回流焊曲线、端接镀层以及引线裁切与成型 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2025-11-20
应用简报 经 DLA 批准的 QML 产品优化 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025-8-18
应用手册 重离子轨道环境单粒子效应估算 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2025-7-7
技术文章 如何借助电力系统优化下一代卫星的 SWaP (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2025-3-19
更多文献资料 TI Engineering Evaluation Units vs. MIL-PRF-38535 QML Class V Processing (Rev. B) 2025-2-20
应用手册 QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 2023-8-30
应用手册 单粒子效应置信区间计算 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022-12-2
电子书 电子产品辐射手册 2022-5-7
应用手册 DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 2020-8-21

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS7H6013EVM-CVAL — TPS7H6013-SP 评估模块

TPS7H6013EVM-CVAL 可帮助用户评估 TPS7H6013-SP 器件。该电路板可接受高达 45V 的输入电压，允许用户通过驱动 GaN FET 来测试 TPS7H6013-SP 的可靠性。默认情况下，该评估模块设置为在 PWM 模式下与 TPS7H6013-SP 一起运行。该模式接受一个开关信号的输入，并在内部生成互补信号。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP23391 — 适用于 100kRad 应用的 300W、12V 输出 ZVS 全桥转换器参考设计

该参考设计是一种全桥拓扑，包括以次级接地为基准的 TPS7H5005-SEP，用于控制三个 TPS7H6005-SEP 半桥栅极驱动器。以初级侧为基准的两个驱动器在脉宽调制 (PWM) 模式下运行，使得该设计能够在较高负载条件下实现零电压开关 (ZVS)。在次级侧，另一个驱动器控制一对次级整流器，以进一步提高转换效率。在此设计中，选择控制器、半桥驱动器和 GaN 场效应晶体管 (FET) 来满足对地静止轨道辐射 (GEO) 要求。这些元件可以互换以满足其他任务规格。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
CFP (HBX) 48 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

查看全部论坛主题 查看英文版全部论坛主题

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供，并不构成 TI 规范。请参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问，请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频系列

观看全部视频

视频