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TPS54622

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具有断续电流限制的 4.5V 至 17V、6A 同步 SWIFT™ 降压转换器

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Rating Catalog Topology Buck Iout (max) (A) 6 Vin (max) (V) 17 Vin (min) (V) 4.5 Vout (max) (V) 15 Vout (min) (V) 0.6 Features Enable, Frequency synchronization, Power good, Prebias startup, Soft-start adjustable, Synchronous rectification, Tracking Control mode current mode Operating temperature range (°C) -40 to 150 Iq (typ) (A) 0.0006 Duty cycle (max) (%) 98
Rating Catalog Topology Buck Iout (max) (A) 6 Vin (max) (V) 17 Vin (min) (V) 4.5 Vout (max) (V) 15 Vout (min) (V) 0.6 Features Enable, Frequency synchronization, Power good, Prebias startup, Soft-start adjustable, Synchronous rectification, Tracking Control mode current mode Operating temperature range (°C) -40 to 150 Iq (typ) (A) 0.0006 Duty cycle (max) (%) 98
VQFN (RHL) 14 12.25 mm² (3.5 mm × 3.5 mm)
  • 集成 26mΩ 和 19mΩ 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 分离电源轨：PVIN 上的电压范围为 1.6V 至 17V
  • 200kHz 至 1.6MHz 开关频率
  • 与外部时钟同步
  • 0.6V ±1% 电压基准过热
  • 断续电流限制
  • 单调启动至预偏置输出
  • -40°C 至 150°C 工作结温范围
  • 可调慢启动和电源排序
  • 针对欠压及过压的电源良好输出监控
  • 可调节输入欠压锁定
  • 要查看 SWIFT™ 文档，请访问
  • 使用 TPS54622 并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计方案
  • 集成 26mΩ 和 19mΩ 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 分离电源轨：PVIN 上的电压范围为 1.6V 至 17V
  • 200kHz 至 1.6MHz 开关频率
  • 与外部时钟同步
  • 0.6V ±1% 电压基准过热
  • 断续电流限制
  • 单调启动至预偏置输出
  • -40°C 至 150°C 工作结温范围
  • 可调慢启动和电源排序
  • 针对欠压及过压的电源良好输出监控
  • 可调节输入欠压锁定
  • 要查看 SWIFT™ 文档，请访问
  • 使用 TPS54622 并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计方案

TPS54622 设备采用热增强型 3.5mm × 3.5mm VQFN 封装，是一款功能齐全的 17V 6A 同步降压转换器；该器件具有高效率且集成了高侧和低侧 MOSFET，经过优化可实现小型设计。电流模式控制，大大减少组件数量，同时通过选择高开关频率缩小电感器的尺寸，从而进一步节省空间。

输出电压启动斜坡由 SS/TR 引脚控制，该引脚既支持独立电源运行，又支持跟踪模式。此外，正确配置使能与开漏电源良好引脚也可实现电源定序。

高侧 FET 的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件，并通过低侧拉电流限制防止电流失控，增强限制效果。此外，还提供可关闭低侧 MOSFET 的低侧灌电流限制，防止反向电流过大。当过流持续时间超出预设时间时，将触发间断保护。当裸片温度超过热关断温度时，热断续保护功能将禁用该器件，并在内置热关断断续时间后重新启用该部件。

TPS54622 设备采用热增强型 3.5mm × 3.5mm VQFN 封装，是一款功能齐全的 17V 6A 同步降压转换器；该器件具有高效率且集成了高侧和低侧 MOSFET，经过优化可实现小型设计。电流模式控制，大大减少组件数量，同时通过选择高开关频率缩小电感器的尺寸，从而进一步节省空间。

输出电压启动斜坡由 SS/TR 引脚控制，该引脚既支持独立电源运行，又支持跟踪模式。此外，正确配置使能与开漏电源良好引脚也可实现电源定序。

高侧 FET 的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件，并通过低侧拉电流限制防止电流失控，增强限制效果。此外，还提供可关闭低侧 MOSFET 的低侧灌电流限制，防止反向电流过大。当过流持续时间超出预设时间时，将触发间断保护。当裸片温度超过热关断温度时，热断续保护功能将禁用该器件，并在内置热关断断续时间后重新启用该部件。
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设计与开发

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