TMAG5233
- 电源电压范围:
- -40°C 至 85°C:1.65V 至 5.5V
- 85°C 至 125°C:1.65V 至 3.6V
- 平面内灵敏度轴
- 磁极检测:
- 全极 (±)
- 输出类型:
- 推挽式 (CMOS)
- 有效输出状态(当 B > BOP 时):低电平 (VOL)
- 磁性工作点 (BOP):±3mT
- 磁性释放点 (BRP):±2.2mT
- 旨在最小化 ICC 的以占空比
- 5Hz:0.55µA
- 40Hz:2.7µA
- 业界通用封装和引脚排列
- 3 引脚 SOT-23(VCC、GND、OUT)
TMAG5233 是一款平面内霍尔效应开关,旨在替代注重成本的应用中使用的 TMR、AMR 和簧片开关。
TMAG5233 具有全极磁响应,使该器件能够对南北磁极均做出响应。当通过传感器灵敏度轴施加的磁通量密度超过工作点阈值 (BOP) 时,该器件会输出低电压。输出会保持低电平,直到磁通密度降至低于释放点阈值 (BRP),随后该器件会输出高电压。
为了更大限度地降低功耗,TMAG5233 在内部进行了占空比调节。该器件采用业界通用 SOT-23 封装,具有推挽式 (CMOS) 输出,无需使用外部上拉电阻。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 5
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TMAG5233 适用于低成本设计的平面内霍尔效应开关 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2025-3-31 |
| 应用简报 | 霍尔效应传感器在接触式传感器应用中发挥的作用 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025-9-29 | |
| 应用简报 | 霍尔效应传感器在电子智能锁中的应用 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025-9-29 | |
| 应用手册 | 使用霍尔效应传感器在电子智能锁中进行位置感应 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025-9-29 | |
| 应用手册 | 使用具有成本效益的低功耗霍尔效应开关替代簧片和磁阻开关 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025-9-19 |
设计与开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
评估板
HALL-ADAPTER-EVM — 霍尔传感器分线适配器评估模块
借助 HALL-ADAPTER-EVM 加快开关、锁存器和线性霍尔传感器的原型设计和测试,有助于快速轻松地连接小型 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的霍尔传感器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。支持的封装的完整列表包括 SOT-23、TO-92、X2SON、SOT-23-5/6、2x2 WCS(0.4mm 间距)和 MSOP-8。
评估板
TMAG5233EVM — TMAG5233 评估模块
TMAG5233EVM 提供了一个易于使用的平台来对 TMAG5233 霍尔效应开关进行评估或原型设计。除 TMAG5233EVM 外,该评估模块 (EVM) 还包含一个磁体。
模拟工具
TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR — TI Magnetic sensing simulation tool
TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR (TIMSS) Web 工具可为磁性位置检测系统估算磁通密度和 TI 磁传感器输出。从我们的磁传感器产品系列中进行选择,以便全面仿真该设计的机电性能。该工具支持各种磁体形状、等级和运动类型,可让您轻松定制设计。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 3 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。