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TLV9004-Q1

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适用于成本优化型应用的汽车级、四路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器

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TLV9004-Q1

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产品详情

Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.8 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 2 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.6 Iq per channel (typ) (mA) 0.06 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 30 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Capable Offset drift (typ) (µV/°C) 0.6 Features Cost Optimized, EMI Hardened, Small Size CMRR (typ) (dB) 77 Iout (typ) (A) 0.04 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.1 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.01 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.01
Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.8 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 2 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.6 Iq per channel (typ) (mA) 0.06 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 30 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Capable Offset drift (typ) (µV/°C) 0.6 Features Cost Optimized, EMI Hardened, Small Size CMRR (typ) (dB) 77 Iout (typ) (A) 0.04 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.1 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.01 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.01
TSSOP (PW) 14 32 mm² (5 mm × 6.4 mm) SOT-23-THN (DYY) 14 13.692 mm² (4.2 mm × 3.26 mm) SOIC (D) 14 51.9 mm² (8.65 mm × 6 mm)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 可扩展 CMOS 放大器，适用于低成本应用
  • 轨到轨输入和输出
  • 低输入失调电压：±0.4mV
  • 单位增益带宽：1MHz
  • 低宽带噪声：27nV/√Hz
  • 低输入偏置电流：5pA
  • 低静态电流：60µA/通道
  • 单位增益稳定
  • 内置 RFI 和 EMI 滤波器
  • 可在电源电压低至 1.8V 的情况下运行
  • 由于具有电阻式开环输出阻抗，因此在较高的电容性负载下更易稳定
  • 功能安全型
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 可扩展 CMOS 放大器，适用于低成本应用
  • 轨到轨输入和输出
  • 低输入失调电压：±0.4mV
  • 单位增益带宽：1MHz
  • 低宽带噪声：27nV/√Hz
  • 低输入偏置电流：5pA
  • 低静态电流：60µA/通道
  • 单位增益稳定
  • 内置 RFI 和 EMI 滤波器
  • 可在电源电压低至 1.8V 的情况下运行
  • 由于具有电阻式开环输出阻抗，因此在较高的电容性负载下更易稳定
  • 功能安全型

TLV900x-Q1 系列包括单通道 (TLV9001-Q1)、双通道 (TLV9002-Q1) 和四通道 (TLV9004-Q1) 低压（1.8V 至 5.5V）运算放大器，具有轨至轨输入和输出摆幅功能。这些运算放大器为空间受限、需要低压运行和高容性负载驱动的汽车应用（例如信息娱乐系统和照明）提供了一种具有成本效益的选项。TLV900x-Q1 系列的容性负载驱动器具有 500pF 的电容，而电阻式开环输出阻抗使其能够在更高的容性负载下更轻松地实现稳定。这些运算放大器专为低工作电压（1.8V 至 5.5V）而设计，性能规格类似于 TLV600x-Q1 器件。

TLV900x-Q1 系列的稳健设计可简化电路设计。这些运算放大器具有单位增益稳定性，集成了 RFI 和 EMI 抑制滤波器，并且在过驱情况下不会出现相位反转。

TLV900x-Q1 系列包括单通道 (TLV9001-Q1)、双通道 (TLV9002-Q1) 和四通道 (TLV9004-Q1) 低压（1.8V 至 5.5V）运算放大器，具有轨至轨输入和输出摆幅功能。这些运算放大器为空间受限、需要低压运行和高容性负载驱动的汽车应用（例如信息娱乐系统和照明）提供了一种具有成本效益的选项。TLV900x-Q1 系列的容性负载驱动器具有 500pF 的电容，而电阻式开环输出阻抗使其能够在更高的容性负载下更轻松地实现稳定。这些运算放大器专为低工作电压（1.8V 至 5.5V）而设计，性能规格类似于 TLV600x-Q1 器件。

TLV900x-Q1 系列的稳健设计可简化电路设计。这些运算放大器具有单位增益稳定性，集成了 RFI 和 EMI 抑制滤波器，并且在过驱情况下不会出现相位反转。
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* 数据表 TLV900x-Q1 低功耗 RRIO 1MHz 汽车运算放大器 PDF | HTML PDF | HTML 2026-4-17
功能安全信息 TLV900x-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD, and Pin FMA PDF | HTML 2021-3-4

设计与开发

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评估板

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放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件，与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板，主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求，使工程师能够快速评估和验证器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装，包括：

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DYY-AMP-EVM — 适用于采用 DYY 封装的运算放大器的评估模块

DYY-AMP-EVM 是一款评估模块 (EVM)，用于测试采用 DYY-14 (SOT-23 THN) 封装的运算放大器的性能。此 EVM 可轻松配置为反相放大器、同相放大器和差分放大器，使工程师能够快速评估和验证设计概念。

用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

TLV9002 PSpice Model (Rev. D)

SBOMAL2D.ZIP (22 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV9002 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

SBOMAL3B (43 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV9002 TINA-TI SPICE Model (Rev. B)

SBOMAH7C (5 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
SOT-23-THN (DYY) 14 Ultra Librarian
SOIC (D) 14 Ultra Librarian
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