LMV324A-Q1

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汽车级四路、5.5V、1MHz、4mV 失调电压、RRO 运算放大器

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数据表

LMV324A-Q1

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产品详情

Number of channels

4

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)

5.5

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)

2.5

Rail-to-rail

In to V-, Out

GBW (typ) (MHz)

1

Slew rate (typ) (V/µs)

1.7

Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)

4

Iq per channel (typ) (mA)

0.08

Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)

30

Rating

Automotive

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

TI functional safety category

Functional Safety-Capable

Offset drift (typ) (µV/°C)

1

Features

Cost Optimized, EMI Hardened, Small Size, Standard Amps

CMRR (typ) (dB)

77

Iout (typ) (A)

0.04

Architecture

CMOS

Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)

-0.1

Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)

0.1

Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)

0.02

Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)

-0.02

Number of channels

4

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)

5.5

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)

2.5

Rail-to-rail

In to V-, Out

GBW (typ) (MHz)

1

Slew rate (typ) (V/µs)

1.7

Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)

4

Iq per channel (typ) (mA)

0.08

Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)

30

Rating

Automotive

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

TI functional safety category

Functional Safety-Capable

Offset drift (typ) (µV/°C)

1

Features

Cost Optimized, EMI Hardened, Small Size, Standard Amps

CMRR (typ) (dB)

77

Iout (typ) (A)

0.04

Architecture

CMOS

Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)

-0.1

Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)

0.1

Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)

0.02

Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)

-0.02

SOT-23-THN (DYY)

14

13.692 mm² (4.2 mm × 3.26 mm)

TSSOP (PW)

14

32 mm² (5 mm × 6.4 mm)

SOIC (D)

14

51.9 mm² (8.65 mm × 6 mm)

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
低输入失调电压：±1mV
轨至轨输出
单位带宽增益积：1MHz
低宽带噪声：30nV/√ Hz
低输入偏置电流：10pA
低静态电流：70µA/通道
单位增益稳定
内置 RFI 和 EMI 滤波器
可在电源电压低至 2.5V 的情况下运行
由于具有电阻式开环输出阻抗，因此可在更高的容性负载下更轻松地实现稳定
工作温度范围：–40°C 至 125°C

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
低输入失调电压：±1mV
轨至轨输出
单位带宽增益积：1MHz
低宽带噪声：30nV/√ Hz
低输入偏置电流：10pA
低静态电流：70µA/通道
单位增益稳定
内置 RFI 和 EMI 滤波器
可在电源电压低至 2.5V 的情况下运行
由于具有电阻式开环输出阻抗，因此可在更高的容性负载下更轻松地实现稳定
工作温度范围：–40°C 至 125°C

LMV3xxA-Q1 系列包括单通道 (LMV321A-Q1)、双通道 (LMV358A-Q1) 和四通道 (LMV324A-Q1) 低压（2.5V 至 5.5V）汽车类运算放大器，具有轨至轨输出摆幅功能。这些运算放大器为空间受限、需要低压运行和高容性负载驱动的应用（例如信息娱乐系统和照明）提供了一种具有成本效益的方法。LMV3xxA-Q1 系列的容性负载驱动具有 500pF 的电容，而电阻式开环输出阻抗使其易于在更高的容性负载下保持稳定。这些运算放大器专为低工作电压（2.5V 至 5.5V）而设计，性能规格类似于 LMV3xx-Q1 器件。

LMV3xxA-Q1 系列的稳健设计可简化电路设计。这些运算放大器具有单位增益稳定性，集成了 RFI 和 EMI 抑制滤波器，并且在过驱情况下不会出现相位反转。

LMV3xxA-Q1 可采用 SOIC、MSOP、SOT-23 和 TSSOP 等业界通用的封装。

LMV3xxA-Q1 系列包括单通道 (LMV321A-Q1)、双通道 (LMV358A-Q1) 和四通道 (LMV324A-Q1) 低压（2.5V 至 5.5V）汽车类运算放大器，具有轨至轨输出摆幅功能。这些运算放大器为空间受限、需要低压运行和高容性负载驱动的应用（例如信息娱乐系统和照明）提供了一种具有成本效益的方法。LMV3xxA-Q1 系列的容性负载驱动具有 500pF 的电容，而电阻式开环输出阻抗使其易于在更高的容性负载下保持稳定。这些运算放大器专为低工作电压（2.5V 至 5.5V）而设计，性能规格类似于 LMV3xx-Q1 器件。

LMV3xxA-Q1 系列的稳健设计可简化电路设计。这些运算放大器具有单位增益稳定性，集成了 RFI 和 EMI 抑制滤波器，并且在过驱情况下不会出现相位反转。

LMV3xxA-Q1 可采用 SOIC、MSOP、SOT-23 和 TSSOP 等业界通用的封装。

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