TLC272

正在供货

双通道、16V、2MHz、输入接近 V- 的运算放大器

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功能优于比较器件,可直接替换。
TLV9102 正在供货 双路、16V、1.1MHz、低功耗运算放大器 Pin-to-pin upgrade with improved performance: lower Vos(1.5mV), higher slew rate(4.5V/us) and output current(80mA)

产品详情

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 16 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/µs) 3.6 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 0.7 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 25 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.8 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 80 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.03 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.2
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 16 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/µs) 3.6 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 0.7 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 25 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.8 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 80 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.03 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.2
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) TSSOP (PW) 8 19.2 mm² (3 mm × 6.4 mm) PDIP (P) 8 92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm) SOP (PS) 8 48.36 mm² (6.2 mm × 7.8 mm)
  • 在指定温度范围内具有宽电源电压范围:
    • 0°C 至 70°C:3V 至 16V
    • -40°C 至 125°C:4V 至 16V
    • -55°C 至 125°C:4V 至 16V
  • 单电源供电
  • 共模输入电压范围扩展至负电源导轨以下(C 后缀和 I 后缀类型)
  • 低噪声:f = 1kHz 时典型值为 10.8nV/√Hz
  • 输出电压范围包括负电源导轨
  • 高输入阻抗:典型值为 >1012Ω
  • ESD 保护电路
  • 也提供采用卷带包装的小外形封装选项
  • 内置闩锁效应抑制功能
  • 在指定温度范围内具有宽电源电压范围:
    • 0°C 至 70°C:3V 至 16V
    • -40°C 至 125°C:4V 至 16V
    • -55°C 至 125°C:4V 至 16V
  • 单电源供电
  • 共模输入电压范围扩展至负电源导轨以下(C 后缀和 I 后缀类型)
  • 低噪声:f = 1kHz 时典型值为 10.8nV/√Hz
  • 输出电压范围包括负电源导轨
  • 高输入阻抗:典型值为 >1012Ω
  • ESD 保护电路
  • 也提供采用卷带包装的小外形封装选项
  • 内置闩锁效应抑制功能

TLC272 和 TLC277 精密双路运算放大器将各种输入偏移电压等级、低偏移电压漂移、高输入阻抗、低噪声以及接近通用型 BiFET 器件的高速性能集于一身。

极高的输入阻抗、低偏置电流和增强转换率使这些具有成本效益的器件非常适合以前为 BiFET 和 NFET 产品保留的应用。器件提供四个失调电压等级(C 后缀和 I 后缀类型),范围从低成本 TLC272 (10mV) 到高精度 TLC277 (500µV)。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合,使这些器件成为先进的新设计和升级现有设计的理想选择。

TLC272 和 TLC277 精密双路运算放大器将各种输入偏移电压等级、低偏移电压漂移、高输入阻抗、低噪声以及接近通用型 BiFET 器件的高速性能集于一身。

极高的输入阻抗、低偏置电流和增强转换率使这些具有成本效益的器件非常适合以前为 BiFET 和 NFET 产品保留的应用。器件提供四个失调电压等级(C 后缀和 I 后缀类型),范围从低成本 TLC272 (10mV) 到高精度 TLC277 (500µV)。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合,使这些器件成为先进的新设计和升级现有设计的理想选择。

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技术文档

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* 数据表 TLC27xx 精确双路运算放大器 数据表 (Rev. F) PDF | HTML 英语版 (Rev.F) PDF | HTML 2026-1-2
* 勘误表 Errata for TLC272/2A/2B/2Y/77 Data Sheet SLOS091E: Error in Elec Characteristics 2011-4-13
电子书 The Signal e-book: 有关运算放大器设计主题的博客文章汇编 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2018-1-31
应用手册 TLC272 and TLC277 EMI Immunity Performance 2013-12-31

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

AMP-PDK-EVM — 放大器高性能开发套件评估模块

放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件,与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板,主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求,使工程师能够快速评估和验证器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装,包括:

  • D(SOIC-8 和 SOIC-14)
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-5 和 SOT23-6)
  • DCK(SC70-5 和 SC70-6)
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
评估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
  • DCK(SC70-6 和 SC70-5)
  • DRL (SOT563-6)
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

DUAL-DIYAMP-EVM — Dual-channel universal do-it-yourself (DIY) amplifier circuit evaluation module for SOIC package

DIYAMP-EVM 是一个评估模块 (EVM) 系列,可为工程师和自制人员 (DIYer) 提供真实的放大器电路,使用户能够快速评估设计概念并验证仿真。该器件专为采用行业标准 SOIC-8 封装的双封装运算放大器而设计。它可实现各种电路配置,例如反相和同相放大器、Sallen Key 滤波器、多反馈滤波器、具有基准缓冲器的差动放大器、具有双反馈的 Riso、单端输入至差动输出、差动输入至差动输出、两个运算放大器仪表放大器和并联运算放大器。

DUAL-DIYAMP-EVM 让原型设计变得快速轻松,并使用常用的 0805 或 0603 表面贴装式元件。通过配置多种组合,此 EVM (...)

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

TLC272, TLC272A, TLC272B PSpice Model

SLOJ092.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP10081 — 20W SEPIC 低成本铅酸电池充电器参考设计

PMP10081 参考设计展示了一种简单且低成本的铅酸电池充电器解决方案。输入电压范围为 9V 至 36V,最大输出电压为 13.8V,这足以满足充电电流高达 1.5A 的六节铅酸电池的充电需求。

支持的产品和硬件
参考设计

PMP10110 — 具有 PFC 功能的通用交流输入至 30Vmax@6A 铅酸电池充电器参考设计

PMP10110 设计将通用输入交流电压转换为隔离式 17V...30V@6A,适用于为铅酸电池或锂离子电池充电。转换器为恒定电压和恒定电流发生器,可通过两个 PWM 信号来设置输出电压(充电电平)和电流的设定值。第一级为 PFC 升压电路,而隔离和电流稳定由直流/直流半桥级执行。隔离式准谐振反激式转换器可提供所有内部电压,并为外部负载(风扇或模拟部分)提供一些额外电流,具体为 12V@400mA 和 5V@300mA。

支持的产品和硬件
参考设计

PMP30104 — 倍增型 SEPIC 恒流电容器充电器(15Vin 至 400V/420Vout @ 80mA)参考设计

SEPIC 转换器用于向负载电容器(高达 15000µF)充电,电压最高为 400V/420V(可选)。输入电压范围为 15V +/-10%,恒定输出充电电流为 80mA。与升压和电荷泵相比,倍增型 SEPIC 拓扑具有若干优势,主要得益于降低了 SEPIC 倍增器中的峰值电流和 RMS 电流。
支持的产品和硬件
参考设计

PMP30157 — 低成本 10S 锂离子电池充电器参考设计

此电池充电器参考设计采用 SEPIC 拓扑结构。输入电压范围为 17V 至 21V,最大负载电流为 600mA。输出电压范围为 13V 到 41V,与负载电流成反比(CV 充电方法)。
支持的产品和硬件
参考设计

PMP30162 — 采用 SEPIC 拓扑的快速电容充电器(42V 至 52V 输入电压、160V/180V 输出电压 @ 900mA)参考设计

SEPIC 转换器用于向负载电容器快速充电,电压最高为 160V/180V(可选)。输入电压范围为 47V +/-10%,恒定输出充电电流为 900mA。由于电容器充电时起始电压为零(等同于短路),因此 SEPIC 拓扑具备使输出电压升压和降压的能力,进而在此类应用中具有优势。
支持的产品和硬件
参考设计

PMP8740 — 满载效率为 92% 的 2kW 工业交流/直流电池充电器参考设计

该参考设计是一个可以设置为标准电源或电池充电器的模块。输出电压范围为 0V 至 32V,最大电流为 62.5A。它由四块板、一个升压 PFC、一个相移全桥、一个小子板(托管微控制器)以及具有三个 LED 和四个按钮的显示板组成。输入电压范围是通用的:90VAC 至 264VAC,输入电流限制为 10Arms,这可将输入功率限制在 200VAC 以下。微控制器将电源连接到操作员并控制所有功能,包括启用和关闭 PFC 和直流/直流功率级,设置不同的输出电压电平和充电电流限制。
支持的产品和硬件
参考设计

PMP9622 — 350W 恒压 - 恒流 (CVCC) 相移全桥参考设计

该参考设计使用 UCC3895 相移全桥控制器来实现高效、120VAC 输入到 44VDC 高达 8A 输出。  电源设置为恒压恒流。  电压和电流由固定的电阻值设置,并可由实际产品中的微处理器设置。  该设计通过用 UCC28720 PWM 控制器的低成本 BJT 反激进行偏置。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-00200 — 适用于电池充电应用的 120V 交流 200W、90% 效率、交错型反激式参考设计

TIDA-00200 为需要 ~200W 输出功率级别和超精简物料清单的电池充电器应用提供了一种交错反激式拓扑。除了实际的电子元件外,冷却方面的工作也占了总体设计成本的大部分。该设计利用 LM5032 高压双路交错式电流模式控制器,在满载条件下实现了 90% 的出色效率,同时还能有效散热,减少了冷却方面的工作量。通常不需要风扇。使用更小尺寸的散热器可提高设计灵活性。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 8 Ultra Librarian
PDIP (P) 8 Ultra Librarian
SOP (PS) 8 Ultra Librarian

订购和质量

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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