产品详情

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 3.6 BW at Acl (MHz) 104 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 377.5 Architecture Bipolar, Fully Differential ADC Driver Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 4.6 Iq per channel (typ) (mA) 1.1 Rail-to-rail In to V-, Out Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Operating temperature range (°C) -55 to 210 Iout (typ) (mA) 35 2nd harmonic (dBc) 96 3rd harmonic (dBc) 91.5 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 0.001 GBW (typ) (MHz) 81 Input bias current (max) (pA) 3300000 Features Shutdown CMRR (typ) (dB) 105 Rating High Temp
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 3.6 BW at Acl (MHz) 104 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 377.5 Architecture Bipolar, Fully Differential ADC Driver Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 4.6 Iq per channel (typ) (mA) 1.1 Rail-to-rail In to V-, Out Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Operating temperature range (°C) -55 to 210 Iout (typ) (mA) 35 2nd harmonic (dBc) 96 3rd harmonic (dBc) 91.5 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 0.001 GBW (typ) (MHz) 81 Input bias current (max) (pA) 3300000 Features Shutdown CMRR (typ) (dB) 105 Rating High Temp
CFP (HKJ) 8 38.985 mm² (— mm × — mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) DIESALE (KGD) See data sheet CFP (HKQ) 8 38.985 mm² (— mm × — mm)
  • 全差分架构
  • 带宽: 40.7 MHz (210°C)
  • 转换速率: 353.5 V/μs (210°C)
  • HD2: –96 dBc,在 1 kHz
    (1 VRMS, RL = 1 kΩ) (210°C)
  • HD3: –91.5 dBc,在 1 kHz
    (1 VRMS, RL = 1 kΩ) (210°C)
  • 输入电压噪声: 19.95 nV/√Hz (f = 100 kHz)
  • 开环增益: 90 dB (典型值)(210°C)
  • NRI—负轨输入
  • RRO—轨至轨输出
  • 输出共模控制 (具有低失调及低漂移)
  • 电源
    • 电压: 2.5 V (±1.25 V) 至 3.3 V (±1.65 V)
    • 电流:每通道 1.4 mA (在 3.3 V 电压下)
  • 断电能力: 10 µA (典型值)(210°C)
  • 全差分架构
  • 带宽: 40.7 MHz (210°C)
  • 转换速率: 353.5 V/μs (210°C)
  • HD2: –96 dBc,在 1 kHz
    (1 VRMS, RL = 1 kΩ) (210°C)
  • HD3: –91.5 dBc,在 1 kHz
    (1 VRMS, RL = 1 kΩ) (210°C)
  • 输入电压噪声: 19.95 nV/√Hz (f = 100 kHz)
  • 开环增益: 90 dB (典型值)(210°C)
  • NRI—负轨输入
  • RRO—轨至轨输出
  • 输出共模控制 (具有低失调及低漂移)
  • 电源
    • 电压: 2.5 V (±1.25 V) 至 3.3 V (±1.65 V)
    • 电流:每通道 1.4 mA (在 3.3 V 电压下)
  • 断电能力: 10 µA (典型值)(210°C)

THS4521 是一款极低功率,完全差分运算放大器,此放大器具有轨到轨输出和一个包括负电源轨在内的输入共模范围。 这个放大器设计用于低功率数据采集系统和高密度应用,在此类应用中功率耗散是一个关键参数,此放大器还在音频应用中提供出色的性能。

THS4521 具有准确的输出共模控制能力,可在驱动模数转换器 (ADC) 时实现 DC 耦合。 这种控制能力与一个低于负电源轨的输入共模范围以及轨至轨输出相结合,可在单端接地参考信号源之间实现简易型连接。 此外,该器件还非常适合只采用单 2.5-V 至 3.3-V 电源和地面电源来驱动逐次逼近寄存器型 (SAR) 和增量-累加型 (ΔΣ) ADC。

THS4521 针对 –55°C 至 210°C 的工作温度范围进行了特性分析。

THS4521 是一款极低功率,完全差分运算放大器,此放大器具有轨到轨输出和一个包括负电源轨在内的输入共模范围。 这个放大器设计用于低功率数据采集系统和高密度应用,在此类应用中功率耗散是一个关键参数,此放大器还在音频应用中提供出色的性能。

THS4521 具有准确的输出共模控制能力,可在驱动模数转换器 (ADC) 时实现 DC 耦合。 这种控制能力与一个低于负电源轨的输入共模范围以及轨至轨输出相结合,可在单端接地参考信号源之间实现简易型连接。 此外,该器件还非常适合只采用单 2.5-V 至 3.3-V 电源和地面电源来驱动逐次逼近寄存器型 (SAR) 和增量-累加型 (ΔΣ) ADC。

THS4521 针对 –55°C 至 210°C 的工作温度范围进行了特性分析。

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* 数据表 极低功率,负电源轨输入,轨到轨输出,完全差分放大器 数据表 (Rev. D) 英语版 (Rev.D) 2012-6-1
* 辐射与可靠性报告 THS4521HKJ_HKQ Reliability Report 2012-9-20
* 辐射与可靠性报告 THS4521HD Reliability Report (Rev. A) 2012-8-17
电子书 The Signal e-book: 有关运算放大器设计主题的博客文章汇编 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2018-1-31

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

THS4521EVM — THS4521 评估模块

THS4521EVM 是采用 D(8 条引线 SOIC)封装的单个 THS4521 的评估模块。

THS4521EVM 旨在快速简便地演示放大器的功能和实用性。该 EVM 随时准备好通过板载连接器与电源、信号源和测试仪表相连。默认的放大器配置是单端输入、单端输出(通过变压器)和独立电源。它可以被轻松配置为差动输入、差动输出和单电源操作。

THS4521EVM 用户指南包含在产品数据表中。

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估模块 (EVM) 用 GUI

SLAC498 — HEATEVM GUI Software

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-00002 — 针对高温应用的苛刻环境采集终端 (HEAT) EVM 平台

HEATEVM 是旨在为信号调节和处理器评估提供高温平台的 MCM。该模块包含完整的组件链,专为承受高达 200°C 的极端工作温度而设计。PCB 采用同样适用于此类极端温度的聚酰亚胺材料制成。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
CFP (HKJ) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
DIESALE (KGD) Ultra Librarian
CFP (HKQ) 8 Ultra Librarian

订购和质量

支持和培训

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