LMG3614
- 650V 170mΩ GaN 功率 FET
- 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
- 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
- AUX 静态电流： 55µA
- 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
- 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3614 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。
可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。
LMG3614 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。
设计与开发
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评估板
LMG3624EVM-081 — LMG3624 符合 USB Type-C® PD 标准的 65W 准谐振反激式转换器评估模块
LMG3624EVM-081 采用具有电流检测仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET，展示了 65W USB Type-C® 电力输送 (PD) 离线适配器的高效率和高密度特性。该输入支持 90Vac 至 265Vac 通用电压范围，输出可设置为 5V、9V 和 15V（电流最大为 3A）或 20V（电流最大为 3.25A），此类设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。标称频率高达 200kHz 的高频运行可实现小解决方案尺寸，而多模式运行可保持高效率。在输出端使用同步整流技术，以提高效率。
计算工具
LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator
The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
订购和质量
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