LMG3612
- 650V 120mΩ GaN 功率 FET
- 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
- 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
- AUX 静态电流：55µA
- 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
- 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3612 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成功率 FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量.
可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。
LMG3612 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。
技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LMG3612 具有集成驱动器的 650V 120 mΩ GaN FET 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-11-15 |
| 技术文章 | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 2024-1-30 | |||
| 产品概述 | 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 进行设计 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-11-29 |
设计与开发
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评估板
LMG3622EVM-082 — LMG3622 支持 USB Type-C® PD 的 65W 准谐振反激式转换器评估模块
LMG3622EVM-082 采用了具有电流检测仿真功能的 LMG3622 集成式 GaN FET，具有高效率和高密度等特性，可适用于 65W USB Type-C® 电力输送 (PD) 脱机式适配器。 该输入支持 90VAC 至 264VAC 通用电压范围，输出可设置为 5V、9V 和 15V（电流最大为 3A）或 20V（电流最大为 3.25A），此类设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。 标称频率高达 200kHz 的高频运行可实现小解决方案尺寸，而多模式运行可保持高效率。 在输出端使用同步整流技术，以提高效率。
计算工具
LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator
The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
参考设计
PMP23488 — 540W 平板电视电源参考设计
该参考设计提供了有关高度限制为 10mm 的平板电视电源设计的信息。该设计为主板使用交错转换模式 (TM) 功率因数校正 (PFC)，并基于平面变压器设计和更改两个独立的 LLC 谐振子板。该参考设计的典型功能为 300W，峰值能力为 540W。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。