主页 电源管理 功率级 氮化镓 (GaN) 功率级
新

LMG2104R022

预发布

产品详情

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.2 ID (max) (A) 70 Features Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle over-current protection, Half-bridge, Overtemperature protection, Shoot-Through Protection, Short-circuit protection, Slew Rate Control, Top-side cooled, Undervoltage protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.2 ID (max) (A) 70 Features Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle over-current protection, Half-bridge, Overtemperature protection, Shoot-Through Protection, Short-circuit protection, Slew Rate Control, Top-side cooled, Undervoltage protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm² (7 mm × 4.5 mm)
  • 集成驱动器的 GaN 半桥功率级100V(GaN FET 选项:2.2mΩ 和 4.4mΩ)
  • 高效率、高密度的功率转换
    • 超低传播延迟 (20ns) 和匹配 (2ns)
    • 两个 GaN FET 的导通和关断压摆率可独立控制
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告
    • 支持理想二极管模式 (IDM),降低软开关应用下的第三象限损耗
  • 输入控制灵活多样
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入,电阻可编程死区时间,适配 IO 受限的控制器
  • 强大的保护
    • IIM 模式下的互锁保护 (LMG2104)
    • 内部自举电源电压调节,可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
  • 外置辅助供电电源:5V
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 寄生优化 QFN 封装,顶部设有外露焊盘,支持顶面散热
  • 集成驱动器的 GaN 半桥功率级100V(GaN FET 选项:2.2mΩ 和 4.4mΩ)
  • 高效率、高密度的功率转换
    • 超低传播延迟 (20ns) 和匹配 (2ns)
    • 两个 GaN FET 的导通和关断压摆率可独立控制
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告
    • 支持理想二极管模式 (IDM),降低软开关应用下的第三象限损耗
  • 输入控制灵活多样
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入,电阻可编程死区时间,适配 IO 受限的控制器
  • 强大的保护
    • IIM 模式下的互锁保护 (LMG2104)
    • 内部自举电源电压调节,可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
  • 外置辅助供电电源:5V
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 寄生优化 QFN 封装,顶部设有外露焊盘,支持顶面散热

LMG210xR0xx 器件是一个 100V 半桥功率级系列,具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成,可驱动两个 100V GaN FET。

由于 GaN FET 的反向恢复为零,而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小,所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上,最大限度减少封装寄生元件,便于在 PCB 板上安装使用。

无论 VCC 电压如何,TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用,该器件是理想之选。

LMG210xR0xx 器件是一个 100V 半桥功率级系列,具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成,可驱动两个 100V GaN FET。

由于 GaN FET 的反向恢复为零,而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小,所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上,最大限度减少封装寄生元件,便于在 PCB 板上安装使用。

无论 VCC 电压如何,TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用,该器件是理想之选。

下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 2
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LMG210xR0xx 100V GaN 半桥功率级,集成保护功能和 智能开关特性 PDF | HTML PDF | HTML 2026-5-19
证书 LMG210XEVM-143 EU Declaration of Conformity (DoC) 2025-9-18

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LMG210XEVM-121 — LMG2104R044 评估模块

LMG210XR044 评估模块是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该器件可用于评估 LMG210XR044 作为硬开关转换器的性能,以便对诸如效率、开关速度和 dv/dt(压摆率)等测量结果进行采样。该 EVM 集成了一个 LMG210XR044 半桥电源模块,后者具有两个由 80V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、4.4mΩ GaN FET。请勿用于评估瞬态响应,因为这是具有外部 PWM 信号的开环板。该 EVM 安装有 LMG2104R044 器件。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

LMG210XEVM-143 — LMG2104R022 评估模块

LMG210XR022 评估模块 (EVM) 是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该 EVM 可用于评估 LMG210XR022 作为硬开关转换器的性能,以便对诸如效率、开关速度和 dv/dt(压摆率)等测量结果进行采样。该 EVM 集成了一个 LMG210XR022 半桥电源模块,后者具有两个由 80V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、2.2mΩ GaN FET。请勿用于评估瞬态响应,因为这是具有外部 PWM 信号的开环板。此 EVM 搭载 LMG2104R022 器件。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-010954 — 基于 GaN 的 600W 单相周波转换器参考设计

该参考设计基于周波转换器 (AC-DAB) 拓扑和 TI GaN 功率级,实现了 600W 双向单级直流-交流逆变器。该设计在直流侧支持最高 60V 和 ±16A,在单相侧支持 230VAC 和 2.6A。该逆变器支持双向功率流,可用于各种应用,例如光伏微型逆变器或电池储能系统 (BESS)。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供,并不构成 TI 规范。请参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频