数据表
LM7481
- 适用于扩展温度范围的应用
- 器件温度： -55°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 9.1mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 低反向检测阈值 (–4mV)，能够快速响应 (0.5µs)
- 高达 200KHz 的有源整流
- 60mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 集成 3.8mA 电荷泵
- 可调节过压保护
- 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
LM74810 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V至 65V的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM74810 采用线性稳压和比较器方案实现反向电流阻断。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM74810 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。
设计与开发
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评估板
LM74810EVM — LM7481-Q1 理想二极管控制器评估模块
TI 的评估模块 LM74810EVM 可帮助设计人员评估 LM7481-Q1 理想二极管控制器 (LM74810QDRR) 在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示 LM7481-Q1 理想二极管控制器为更高功率 (>100W) 汽车 ECU 设计提供反向电池保护的能力。该器件控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，首先连接理想二极管 MOSFET，之后连接第二个 MOSFET 以实现开关输出和电源路径切断。
计算工具
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | Ultra Librarian |
订购和质量
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