JFE150
- 超低噪声：
- 电压噪声：
- 1kHz 时为 0.8nV/√ Hz，I DS = 5mA
- 1kHz 时为 0.9nV/√ Hz，I DS = 2mA
- 电流噪声：1 kHz 时为 1.8fA/√ Hz
- 电压噪声：
- 低栅极电流：10 pA（最大值）
-
低输入电容：V DS = 5V 时为 24pF
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高栅漏电压和栅源击穿电压：-40 V
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高跨导：68mS
-
封装：小型 SC70 和 SOT-23
JFE150 是使用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 分立式 JFET。JFE150 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150 提供出色的噪声功率效率和灵活性，静态电流可由用户设置，并为 50µA 至 20mA 的电流提供出色的噪声性能。当偏置电流为 5mA 时，该器件会产生 0.8nV/√ Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
JFE150 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 + 125°C，并采用 5 引脚 SOT-23 和 SC70 封装。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | JFE150 超低噪音、低栅极电流、音频、N 通道 JFET 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023-5-9 |
| 证书 | JFE150EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2022-2-28 | ||||
| 应用手册 | JFE150 Ultra-Low-Noise Pre-Amp | PDF | HTML | 2021-10-6 |
设计与开发
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DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块
借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。
DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：
- D 和 U (SOIC-8)
- PW (TSSOP-8)
- DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
- DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
- DCK（SC70-6 和 SC70-5）
- DRL (SOT563-6)
JFE150EVM — JFE150 超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET 评估模块
JFE150 评估模块 (EVM) 预期用于对 JFE150 器件的基本功能进行评估。该 EVM 采用闭环前置放大器配置，由单个 12V 电源供电，提供 60dB 增益。用户可以对各种电路配置进行修改。
JFE150 Ultra-Low Noise Piezoelectric Amplifier PSpice Reference Circuit
JFE150 Ultra-Low Noise Piezoelectric Amplifier TINA-TI Reference Circuit
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-SC70 (DCK) | 5 | Ultra Librarian |
| SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
订购和质量
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