JFE2140

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双路、超低噪声、低栅极电流音频 N 沟道 JFET

产品详情

Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 超低噪声:
    • 电压噪声:
      • 1 kHz 时为 0.9 nV/√ Hz,I DS = 5 mA
      • 1 kHz 时为 1.1 nV/√ Hz,I DS = 2mA
    • 电流噪声:1 kHz 时为 1.6 fA/√ Hz
  • 低 V GS 失配:4mV(最大值)
  • 低栅极电流:10 pA(最大值)
  • 低输入电容:V DS = 5V 时为 13 pF

  • 高栅漏电压和栅源击穿电压:-40V

  • 高跨导:30 mS

  • 封装:SOIC,2mm x 2mm WSON

  • 超低噪声:
    • 电压噪声:
      • 1 kHz 时为 0.9 nV/√ Hz,I DS = 5 mA
      • 1 kHz 时为 1.1 nV/√ Hz,I DS = 2mA
    • 电流噪声:1 kHz 时为 1.6 fA/√ Hz
  • 低 V GS 失配:4mV(最大值)
  • 低栅极电流:10 pA(最大值)
  • 低输入电容:V DS = 5V 时为 13 pF

  • 高栅漏电压和栅源击穿电压:-40V

  • 高跨导:30 mS

  • 封装:SOIC,2mm x 2mm WSON

JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 音频、匹配对分立式 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能,静态电流可由用户设置,范围为 50 µA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时,该器件会产生 0.9 nV/√ Hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外,按照 ±4mV 测试 JFET 之间的匹配,可为差分对配置提供低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 音频、匹配对分立式 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能,静态电流可由用户设置,范围为 50 µA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时,该器件会产生 0.9 nV/√ Hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外,按照 ±4mV 测试 JFET 之间的匹配,可为差分对配置提供低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 JFE2140 超低噪声、匹配低栅电流双离散音频 N 通道 JFET 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 9月 14日
应用手册 JFE2140 超低噪声前置放大器 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 13日
用户指南 JFE2140 Evaluation Module Users Guide PDF | HTML 2022年 9月 20日
证书 JFE2140EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 9月 7日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
  • DCK(SC70-6 和 SC70-5)
  • DRL (SOT563-6)
用户指南: PDF
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评估板

JFE2140EVM — JFE2140 双通道、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET 评估模块

JFE2140 评估模块 (EVM) 可以对 JFE2140 的基本功能进行评估。该 EVM 采用闭环前置放大器配置,由 ±5V 双电源供电,提供 60dB 增益。用户可以对各种电路配置进行修改。

用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

JFEx140 TINA-TI Reference Design

SLPM356.TSC (137 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

JFEx140 PSpice Model

SLPM355.ZIP (53 KB) - PSpice Model
仿真模型

JFEx140 TINA-TI Spice Model

SLPM357.ZIP (2 KB) - TINA-TI Spice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
模拟工具

TINA-TI — 基于 SPICE 的模拟仿真程序

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的传统直流、瞬态和频域分析以及更多。TINA 具有广泛的后处理功能,允许您按照希望的方式设置结果的格式。虚拟仪器允许您选择输入波形、探针电路节点电压和波形。TINA 的原理图捕获非常直观 - 真正的“快速入门”。

TINA-TI 安装需要大约 500MB。直接安装,如果想卸载也很容易。我们相信您肯定会爱不释手。

TINA 是德州仪器 (TI) 专有的 DesignSoft 产品。该免费版本具有完整的功能,但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表,请参阅:SpiceRack - 完整列表 

需要 HSpice (...)

用户指南: PDF
英语版 (Rev.A): PDF
封装 引脚 下载
SOIC (D) 8 查看选项

订购和质量

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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
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  • 封装厂地点

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