ISOS510-SP
- 辐射性能
- 电离辐射总剂量 (TID) 特征值高达 100krad(Si)
- TID RLAT/RHA 高达 100krad(Si)
- 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下对 LET 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬变 (SET) 对于 LET 的额定值高达 75MeV-cm2/mg
- SMD# 5962R2620601PXE
- QML P 类
- 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
- 军用级温度范围（-55°C 至 125°C）
- 单通道二极管输入
- IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR)：95% 至 164%
- 高集电极-发射极电压：VCE（最大值）= 30V
- 稳健 SiO2 隔离栅
- 隔离等级：3750VRMS
- 工作电压：500VRMS，707VPK
- 浪涌能力：高达 10kV
- 响应时间：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs（典型值）
- 小型 4 引脚封装 (DFG)
ISOS510-SP 耐辐射器件是一款具有晶体管输出的单通道电流驱动模拟隔离器。与其他电流驱动型模拟隔离器相比，该器件具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的电流传输比 (CTR)，以及因严格的工艺控制而实现的极小器件间偏差。这些性能优势可在整个辐射、温度和使用寿命范围内保持稳定。
ISOS510-SP 采用引脚间距为 2.54mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3.75kVRMS 隔离额定值。ISOS510-SP 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于航空航天和国防应用，例如隔离式直流/直流模块中的反馈环路、卫星推进电源处理单元、航天器电池管理系统等。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | ISOS510-SP 具有晶体管输出的耐辐射电流驱动模拟隔离器 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-5-7 |
设计与开发
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评估板
ISOM-EVM — 通用光耦仿真器评估模块
ISOM-EVM 支持评估采用 5 引脚 DFF、4 引脚 DFG、4 引脚 DFH 和 4 引脚 DFS SOIC 封装的 TI 光耦仿真器。通过更改 EVM 配置和元件值，可以重新配置该评估模块 (EVM)，以对不同的光耦仿真器、不同的输入信号或其他应用进行评估。该 EVM 没有在电路板上安装光耦仿真器 IC，允许用户安装自己选择的兼容 IC。用户可以将电路板分为三个单独的单元来单独测试印刷电路板。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DFG) | 4 | Ultra Librarian |
订购和质量
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