说明
与光耦合器相比，光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括更宽的温度范围和严格的过程控制，从而实现较小的器件间差异。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真二极管输入级的功耗比存在 LED 老化效应并在器件使用寿命内需要更高偏置电流的光耦合器更低。
特性
- 用于对具有不同封装尺寸选项的光耦仿真器进行完整评估的平台
- 分接设计便于轻松分离电路板空间
- 提供测试点和跳线选项
- 包含无源器件和封装用于基本修改
- 单通道二极管仿真器输入
- 稳健可靠的隔离栅
ISOM8610DFGEVM1 评估模块概述
1.1 引言
ISOM-EVM 支持评估采用 5 引脚 DFF、4 引脚 DFG、4 引脚 DFH 和 4 引脚 DFS SOIC 封装的 TI 光耦仿真器。通过更改 EVM 配置和元件值，可以重新配置 EVM，以针对不同的光耦仿真器、不同的输入信号或其他应用进行评估。该 EVM 没有在电路板上安装光耦仿真器 IC，允许用户安装自己选择的兼容 IC。用户可以将电路板分为三个单独的单元来单独测试 PCB。本用户指南还介绍了光耦仿真器的引脚配置、EVM 原理图和典型设置。
1.2 套件内容
此评估模块包含一个 PCB 评估板。ISOM-EVM 评估板的主要元件包括：
- 与多种光耦仿真器封装兼容
- 多个板载测试点
- 输入和输出接头
若要演示光耦仿真器的功能，TI 建议使用以下器件（另售）：
- 示波器
- 信号发生器
1.3 规格
光耦仿真器器件能够与许多光耦合器器件引脚兼容并可直接替换。与传统光耦合器相比，光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括低输入电流和更宽的温度范围。
光耦仿真器使用由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅分离的输入二极管仿真器和输出级，再现了传统光耦合器的特性，同时没有老化和热漂移的缺点。光耦仿真器可用于阻断高电压、隔离接地并防止噪声电流干扰或损坏敏感电路。
1.4 器件信息
ISOM-EVM 包含光耦仿真器运行所需的无源器件。评估模块中包含的各种元件直接控制光耦仿真器器件的运行和功能。如有必要，可针对任何给定的应用来移除、添加或替换元件，从而相应地修改光耦仿真器的行为。
2 硬件
2.1 EVM 设置和操作
基本 EVM 设置
本节描述了用于参数性能评估的 EVM 设置和操作。图 2-1 展示了 ISOM-EVM 的典型测试配置。
ISOM811x 基本 EVM 运行
ISOM871x 基本 EVM 运行
ISOM86xx 基本 EVM 运行
图 2-1 基本 EVM 操作最简单的 EVM 设置是使用 5V 输入和 5VSRC 进行测试。输入电阻器的大小应适应高达 24V 的逻辑输入。ISOM-EVM 为元件提供了不焊接 (DNP) 封装，可通过组装这些元件，对器件应用不同的测试条件。节 2.1 列出并描述了通过修改 EVM 上的不同元件可实现的可能测试配置。
| 元件 | 说明 |
|---|---|
| R3、R5、R21 | R3、R5 和 R21 的阻值适合 5V 至 24V 的工作电压。如果需要更大的电源或更小的值，则选择一个可为阳极提供所需 IF 电流的电阻器。 |
| R4、R6、R25 | R4、R6 和 R25 是 0Ω 电阻器，支持可配置的 EVM 测试条件。 |
| J1、J2、J11 | 分流 J1、J2 或 J11 以将输出用作高侧输出（发射极引脚）。切勿同时分流 J1 和 J9、J2 和 J10 或者 J11 和 J12。 |
| J9、J10、J12 | 分流 J9、J10、J12 以将输出用作低侧输出（集电极引脚）。切勿同时分流 J1 和 J9、J2 和 J10 或者 J11 和 J12。 |
| C3、C4、C12 | C3、C4 和 C12 可用于向输入二极管添加电容。 |
| R9 | 如果需要上拉电阻器，请组装 R9。 |
| R10，C10 | 您可以添加或修改其中一个或多个元件，从而在额外输出阻抗、电阻或容性负载下测试器件。 |
3 硬件设计文件
3.1 原理图
ISOM-EVM 具有多种封装结构，可让用户灵活地测试各种常见应用，例如 4 引脚 DFH（顶部部分）、4 引脚 DFS（中间部分）、5 引脚 DFF（底部部分）和 4 引脚 DFG（底部部分）封装。这些部分可以分成更小的板。用户还可以将任何所需的光耦仿真器器件安装到不同的兼容封装中。
也可以修改电路板上的其他位置。例如，可以更改电阻器以适应不同的电流要求，并且可以添加电容器以测试具有阻性或容性负载的器件。有关 EVM 原理图，请参阅 ISOM-EVM 图 3-1、图 3-2 和图 3-3，有关替代 EVM 配置的更多信息，请参阅表 2-1。
图 3-1 DFH 封装
图 3-2 DFS 封装
图 3-3 DFF 和 DFG 封装
3.3 物料清单
表 3-1 列出了 ISOM8610DFGEVM 的物料清单 (BOM)。
| 项目编号 | 位号 | 制造商 | 说明 |
|---|---|---|---|
| J1、J2、J9、J10、J11、J12 | Samtec | 连接器接头表面贴装 2 位 0.100" (2.54mm) | |
| J3、J7、J8 | Sullins Connector | 接头，2.54mm，2x2，金，TH | |
| J4、J6 | Sullins Connector | 接头，2.54mm，4x2，金，TH | |
| J5 | Samtec | 接头，2.54mm，5x2，金，黑色，TH | |
| R1、R2、R7、R8、R23、R32 | Panasonic | 电阻，4.7k，5%，0.125W，AEC-Q200 0 级，0805 | |
| R3、R5、R21 | Panasonic | 电阻，1.00k，1%，0.25W，0805 | |
| R4、R6、R10、R25 | Ohmite | 0Ω，跳线，0.245W，片式电阻，0805（公制 2012）- 金属元件 | |
| TP0、TP1、TP2、TP3、TP4、TP5、TP6、TP7、TP9、TP17、TP18、TP21、TP28、TP31 | Keystone | 测试点，通用，红色，TH | |
| TP10、TP11、TP12、TP13、TP14、TP15、TP16、TP19、TP20、TP35、TP38 | Keystone | 测试点，通用，黑色，TH | |
| C1、C2、C3、C4、C10、C12 | Wurth Elektronik | 电容，陶瓷，15pF，50V，+/-5%，C0G/NP0，0603 | |
| C5、C11、C13、C14 | KEMET | 0.1µF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 0805（公制 2012） | |
| H1、H2、H3、H4、H5、H6、H7、H8、H9、H10、H11、H12 | 3M | Bumpon，半球形，0.25 X 0.075，透明 |
4 其他信息
4.1 商标
Other TMs
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