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ISO6521

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Ultra-small, galvanic 2-channel, 1/1, digital isolator with 50Mbps and 1.8V logic support

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Rating Catalog Integrated isolated power No Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Features 1.8V I/O Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART Propagation delay time (typ) (ns) 11 Propagation delay time (max) (ns) 18 Part-to-part output skew (max) (ns) 6 Channel-to-channel output skew (max) (ns) 6 Isolation rating Galvanic CMTI (min) (kV/µs) 100 Default output High, Low Creepage (min) (mm) 2.2 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.8 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Clearance (min) (mm) 2.2
Rating Catalog Integrated isolated power No Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Features 1.8V I/O Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART Propagation delay time (typ) (ns) 11 Propagation delay time (max) (ns) 18 Part-to-part output skew (max) (ns) 6 Channel-to-channel output skew (max) (ns) 6 Isolation rating Galvanic CMTI (min) (kV/µs) 100 Default output High, Low Creepage (min) (mm) 2.2 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.8 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) VSON (REU) 8 6 mm² (3 mm × 2 mm)
  • 双通道 CMOS 输出功能隔离器
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的 SiO2 隔离栅（CMTI 典型值为 ±150kV/µs）
  • 功能隔离(8-EEU)：
    • 450VRMS、637VDC 工作电压
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬态电压 (60s)
  • 功能隔离(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作电压
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬态电压 (60s)
  • 采用爬电距离大于 2.2mm 的紧凑型 8-REU 封装
  • 宽电源电压范围：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO652x) 和低电平 (ISO652xF) 选项
  • 宽温度范围：-40°C 至 125°C
  • 3.3V、1Mbps 时每通道电流典型值为 1.8mA
  • 低传播延迟：3.3V 时为 11ns（典型值）
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度
    • 超低辐射
  • 无引线 DFN (8-REU) 封装和窄体 SOIC (8-D) 封装选项
  • 双通道 CMOS 输出功能隔离器
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的 SiO2 隔离栅（CMTI 典型值为 ±150kV/µs）
  • 功能隔离(8-EEU)：
    • 450VRMS、637VDC 工作电压
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬态电压 (60s)
  • 功能隔离(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作电压
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬态电压 (60s)
  • 采用爬电距离大于 2.2mm 的紧凑型 8-REU 封装
  • 宽电源电压范围：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO652x) 和低电平 (ISO652xF) 选项
  • 宽温度范围：-40°C 至 125°C
  • 3.3V、1Mbps 时每通道电流典型值为 1.8mA
  • 低传播延迟：3.3V 时为 11ns（典型值）
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度
    • 超低辐射
  • 无引线 DFN (8-REU) 封装和窄体 SOIC (8-D) 封装选项

ISO652x 器件是高性能双通道功能隔离器，适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 450VRMS/637VDC 的工作电压，以及 2000VRMS/2828VDC 的瞬态过压。

在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时， 器件可提供高电磁抗扰度、低发射和低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。 ISO6520 具有 2 个同向隔离通道。 ISO6521 具有 2 个隔离通道，每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息，请参见器件功能模式部分。

这些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。得益于芯片设计和布局布线技术， 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。

ISO652x 器件是高性能双通道功能隔离器，适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 450VRMS/637VDC 的工作电压，以及 2000VRMS/2828VDC 的瞬态过压。

在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时， 器件可提供高电磁抗扰度、低发射和低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。 ISO6520 具有 2 个同向隔离通道。 ISO6521 具有 2 个隔离通道，每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息，请参见器件功能模式部分。

这些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。得益于芯片设计和布局布线技术， 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。
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* 数据表 ISO652x 通用双通道功能隔离器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025-10-15
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设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

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ISO6521REUEVM 是一款用于评估采用 8 引脚 DFN 封装的双通道 ISO6521 功能隔离器的评估模块 (EVM)。此 EVM 具有其他封装，可让用户灵活地添加元件来测试各种常见应用。此 EVM 还具有多个测试点，支持使用较少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
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仿真模型

ISO6521 IBIS Model

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支持的产品和硬件
参考设计

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此参考设计是一款基于氮化镓 (GaN) 的数字控制四开关降压/升压直流/直流转换器，用于电池备份 (BBU) 应用。此设计共有七个相位。其中，六个相位并联，用于实现电池放电操作，可提供高达 8.1kW 的放电功率；第七相位阶段用于电池充电操作。该转换器可根据 VIN 和 VOUT 电压在降压、降压/升压或升压模式下工作，并在每种模式之间平稳转换。
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参考设计

PMP23547 — 基于 GaN 的 8kW 三相图腾柱功率因数校正和三相 LLC 参考设计

该参考设计为高密度、高效率的 8kW 电源。第一级是三角导通模式 (TCM) 功率因数校正 (PFC) 转换器，后跟一个与 Δ-Δ 连接的三相电感器-电感器-电容器 (LLC) 转换器。这两个功率级均采用 TI 高性能氮化镓 (GaN) 电源开关实现。该 PFC 在基于零电流检测 (ZCD) 的控制机制中采用三相图腾柱 PFC。该控制方法可以变频运行，并在整体运行条件下保持零电压开关 (ZVS)。该控制通过 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 感测功能的 LMG3527R030 GaN 场效应晶体管 (FET) 来实现。转换器的工作频率范围约介于 70kHz 和 (...)
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (REU) 8 Ultra Librarian
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