INA950-SEP

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Radiation-tolerant, 2.7V to 80V, 1.1MHz, ultra-precise, current-sense amplifier

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产品详情

Product type

Analog output

Common-mode voltage (max) (V)

80

Common-mode voltage (min) (V)

2.7

Input offset (±) (max) (µV)

25

Input offset drift (±) (typ) (µV/°C)

0.05

Features

High frequency, Ultra precise

Rating

Space

Voltage gain (V/V)

20

CMRR (min) (dB)

140

Bandwidth (kHz)

1100

Iq (max) (mA)

0.37

Number of channels

1

Comparators (#)

0

Gain error (%)

0.1

Gain error drift (±) (max) (ppm/°C)

5

Slew rate (V/µs)

2

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

Product type

Analog output

Common-mode voltage (max) (V)

80

Common-mode voltage (min) (V)

2.7

Input offset (±) (max) (µV)

25

Input offset drift (±) (typ) (µV/°C)

0.05

Features

High frequency, Ultra precise

Rating

Space

Voltage gain (V/V)

20

CMRR (min) (dB)

140

Bandwidth (kHz)

1100

Iq (max) (mA)

0.37

Number of channels

1

Comparators (#)

0

Gain error (%)

0.1

Gain error drift (±) (max) (ppm/°C)

5

Slew rate (V/µs)

2

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

TSSOP (PW)

8

19.2 mm² (3 mm × 6.4 mm)

VID V62/25635
辐射 - 总电离剂量 (TID)：
- TID 性能保证高达 30krad (Si)
- 每个晶圆批次的辐射批次验收测试 (RLAT) 高达 30krad (Si)
辐射 - 单粒子效应 (SEE)：
- 在 125°C 下，单粒子锁定 (SEL) 抗扰度最高可达 43MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬变 (SET) 额定值最高可达 LET = 47.5MeV-cm2/mg
增强型航天塑料
- 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C
- 受控基线
- Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层
- 根据 ASTM E595 进行了释气测试
- 一个制造、封装和测试基地
- 延长了产品生命周期
- 产品可追溯性
宽共模电压：
- 工作电压：2.7V 至 80V
- 可承受电压：-20V 至 85V
出色的共模抑制比 (CMRR)：
- 160dB 的信噪比 (DC)
- 85dB 交流（50kHz 时）
增益为 20V/V
- 增益误差：±0.1%（最大值）
- 增益漂移：±1.5ppm/°C
失调电压：±12µV（最大值）
温漂：±0.05µV/°C
高带宽：1.1MHz
压摆率：2V/µs
静态电流：370µA

VID V62/25635
辐射 - 总电离剂量 (TID)：
- TID 性能保证高达 30krad (Si)
- 每个晶圆批次的辐射批次验收测试 (RLAT) 高达 30krad (Si)
辐射 - 单粒子效应 (SEE)：
- 在 125°C 下，单粒子锁定 (SEL) 抗扰度最高可达 43MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬变 (SET) 额定值最高可达 LET = 47.5MeV-cm2/mg
增强型航天塑料
- 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C
- 受控基线
- Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层
- 根据 ASTM E595 进行了释气测试
- 一个制造、封装和测试基地
- 延长了产品生命周期
- 产品可追溯性
宽共模电压：
- 工作电压：2.7V 至 80V
- 可承受电压：-20V 至 85V
出色的共模抑制比 (CMRR)：
- 160dB 的信噪比 (DC)
- 85dB 交流（50kHz 时）
增益为 20V/V
- 增益误差：±0.1%（最大值）
- 增益漂移：±1.5ppm/°C
失调电压：±12µV（最大值）
温漂：±0.05µV/°C
高带宽：1.1MHz
压摆率：2V/µs
静态电流：370µA

INA950-SEP 是一款超精密电流检测放大器，能够在 2.7V 至 80V 的宽共模范围内测量分流电阻器上的压降。得益于自身 ±12µV（最大值）的超低失调电压、±0.1%（最大值）的小增益误差以及 160dB（典型值）的高直流 CMRR 特性的综合作用，该器件能够实现超高精度的电流测量。INA950-SEP 不仅适用于直流电流测量，还适用于高速应用（例如：快速过流保护），具有 1.1MHz 的高带宽与 85dB 的交流 CMRR（50kHz 时）。

INA950-SEP 能够在 2.7V 至 80V 的宽共模范围内，通过测量分流电阻器上的压降，提供进行超精密电流测量的功能。INA950-SEP 采用 TSSOP-8 封装。

INA950-SEP 采用 2.7V 至 5.5V 的单电源供电，电源电流仅为 370µA（典型值）。借助零漂移架构的低失调电压，能够在工作温度范围（−55°C 至 125°C）内使用低欧姆值分流器进行电流检测。

INA950-SEP 是一款超精密电流检测放大器，能够在 2.7V 至 80V 的宽共模范围内测量分流电阻器上的压降。得益于自身 ±12µV（最大值）的超低失调电压、±0.1%（最大值）的小增益误差以及 160dB（典型值）的高直流 CMRR 特性的综合作用，该器件能够实现超高精度的电流测量。INA950-SEP 不仅适用于直流电流测量，还适用于高速应用（例如：快速过流保护），具有 1.1MHz 的高带宽与 85dB 的交流 CMRR（50kHz 时）。

INA950-SEP 能够在 2.7V 至 80V 的宽共模范围内，通过测量分流电阻器上的压降，提供进行超精密电流测量的功能。INA950-SEP 采用 TSSOP-8 封装。

INA950-SEP 采用 2.7V 至 5.5V 的单电源供电，电源电流仅为 370µA（典型值）。借助零漂移架构的低失调电压，能够在工作温度范围（−55°C 至 125°C）内使用低欧姆值分流器进行电流检测。

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顶层文档	类型	标题	格式选项	下载最新的英语版本		日期
*	数据表	INA950-SEP 2.7V 至 80V 1.1MHz 超精密电流检测放大器数据表	PDF \| HTML	英语版	PDF \| HTML	2025-3-11
*	辐射与可靠性报告	INA950-SEP Single-Event Effects (SEE) Radiation Test Report (Rev. C)	PDF \| HTML			2026-6-1
*	辐射与可靠性报告	INA950-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report (Rev. A)				2025-3-14
*	辐射与可靠性报告	INA950-SEP Production Flow and Reliability Report	PDF \| HTML			2025-2-27
	选择指南	TI Space Products (Rev. L)				2026-3-27
	应用简报	采用齐纳移位悬空接地和隔离式数字接口的精密高压电流检测	PDF \| HTML	英语版	PDF \| HTML	2025-12-19