DRV8300-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 温度等级 1：–40°C ≤ TA ≤ 125°C
- 100V 三相半桥栅极驱动器
- 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
- MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
- 集成自举二极管
- 自举栅极驱动架构
- 750mA 拉电流
- 1.5A 灌电流
- 支持高达 48V 的汽车系统
- SHx 引脚具有低泄漏电流（小于 55µA）
- 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
- 支持 SHx 上低达 -22V 的负电压瞬变
- 内置跨导保护
- 固定插入 215 ns 死区时间
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
- 4ns 典型传播延迟匹配
- 紧凑型 TSSOP 封装
- 具有电源块的高效系统设计
- 集成保护特性
- BST 欠压锁定 (BSTUV)
- GVDD 欠压 (GVDDUV)
DRV8300 -Q1 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750 mA 的峰值拉电流和 1.5A 的峰值灌电流。
相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (115V) 绝对最大值，从而提高系统的稳健性。较小的传播延迟和延迟匹配规格可最大限度地降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定功能为低侧和高侧提供欠压保护。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | DRV8300-Q1：100V 三相 BLDC 栅极驱动器 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2021-12-8 |
| 应用简报 | 了解栅极驱动器压摆率控制、MOSFET 开关优化以及保护特性 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025-12-19 | |
| 证书 | DRV8300DPW-Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2021-12-8 |
设计与开发
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DRV8300DPW-Q1EVM — DRV8300DPW-Q1 三相 BLDC 栅极驱动器评估模块
DRV8300DPW-Q1EVM 是一款基于 DRV8300DPWRQ1 栅极驱动器（适用于 BLDC 电机）的汽车类 30A 三相无刷直流驱动级。
DRV8300DPWRQ1 包含三个二极管用于自举操作，因此无需使用外部二极管。此 EVM 包含三个电流分流放大器，可用于低侧电流测量以及 PVDD/GVDD 电压和电路板温度反馈。可向此 EVM 提供高达 100V 的电压，板载降压器件可为自举 GVDD 电源提供所需的 12V 电压。包含的所有电源状态 LED 以及故障 LED 可用于提供用户反馈。
此套件需要使用 C2000 launchpad (LAUNCHXL-F280049C) (...)
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 20 | Ultra Librarian |