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CSD88539ND

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采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素

这款双通道 SO-8、60V、23mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于在低电流电机控制应用中充当半桥。

这款双通道 SO-8、60V、23mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于在低电流电机控制应用中充当半桥。
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* 数据表 CSD88539ND 双通道 60V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2023-12-15

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