CSD88537ND
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 用于电机控制的半桥
- 同步降压转换器
这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | CSD88537ND 双路 60V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2014-9-10 |