主页 电源管理 功率级 硅功率级

CSD43301Q5M

正在供货

NexFET™ 智能同步整流器

产品详情

Rating Catalog VDS (V) 12 Ploss current (A) 40 Features Powerstack vertical FET integration Operating temperature range (°C) -55 to 125
Rating Catalog VDS (V) 12 Ploss current (A) 40 Features Powerstack vertical FET integration Operating temperature range (°C) -55 to 125
LSON-CLIP (DQP) 12 30 mm² (6 mm × 5 mm)
  • VDD为 4.5V 时,Ron为 55mΩ(典型值)
  • 集成
  • 最大额定电流 80A
  • 高密度 — 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 与 TTL IN 信号兼容
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层无卤素
  • VDD为 4.5V 时,Ron为 55mΩ(典型值)
  • 集成
  • 最大额定电流 80A
  • 高密度 — 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 与 TTL IN 信号兼容
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层无卤素

CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款针对高功率高密度 DC/DC 转换器内的次级同步整流而进行了高度优化的设计。 这个产品集成有驱动器集成电路 (IC) 和超低功耗 Ron功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善同步整流功能。 此外,已经对印刷电路板 (PCB) 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款针对高功率高密度 DC/DC 转换器内的次级同步整流而进行了高度优化的设计。 这个产品集成有驱动器集成电路 (IC) 和超低功耗 Ron功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善同步整流功能。 此外,已经对印刷电路板 (PCB) 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 2
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 NexFET™ 智能同步整流器 数据表 (Rev. B) 英语版 (Rev.B) 2013-6-25
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2025-11-18

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

仿真模型

CSD43301Q5M PSpice Model

SLPM057.ZIP (9 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
LSON-CLIP (DQP) 12 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供,并不构成 TI 规范。请参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频