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BQ25770G

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适用于 GAN HEMT 的 I²C 2 至 5 芯 NVDC 双相降压/升压电池充电控制器

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BQ25770G

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产品详情

Rating Catalog Number of series cells 2, 3, 4, 5 Cell chemistry Li-Ion/Li-Polymer, LiFePO4, Lithium Phosphate/LiFePO4 Charge current (max) (A) 16.2 Features IC thermal regulation, ICO (Input Current Optimization), IINDPM (Input current limit), Input OVP, Integrated ADC, Power Path, USB C/PD compatible, USB OTG integrated, VINDPM (Input voltage threshold to maximize adaptor power) Vin (min) (V) 0 Vin (max) (V) 40 Absolute max Vin (max) (V) 45 Control topology Switch-Mode Buck-boost Battery charge voltage (min) (V) 4.4 Battery charge voltage (max) (V) 23 Control interface I2C Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Number of series cells 2, 3, 4, 5 Cell chemistry Li-Ion/Li-Polymer, LiFePO4, Lithium Phosphate/LiFePO4 Charge current (max) (A) 16.2 Features IC thermal regulation, ICO (Input Current Optimization), IINDPM (Input current limit), Input OVP, Integrated ADC, Power Path, USB C/PD compatible, USB OTG integrated, VINDPM (Input voltage threshold to maximize adaptor power) Vin (min) (V) 0 Vin (max) (V) 40 Absolute max Vin (max) (V) 45 Control topology Switch-Mode Buck-boost Battery charge voltage (min) (V) 4.4 Battery charge voltage (max) (V) 23 Control interface I2C Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN (REE) 36 20 mm² (4 mm × 5 mm)
  • TI 获得专利的准双相降压/升压窄电压直流 (NVDC) 充电器，适用于 USB-C 扩展功率范围 (EPR) 接口平台
    • 输入电压范围为 3.5V 至 40V，可为 2 至 5 节电池充电
    • 充电电流高达 16.3A/30A，基于 5mΩ/2mΩ 检测电阻
    • 输入电流限值高达 8.2A/16.4A，基于 10mΩ/5mΩ 检测电阻
    • 支持 USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1、USB-C 电力输送和扩展功率范围输入电流设置
    • 输入电流优化器 (ICO)，无需过载适配器即可获取最大输入功率
    • 符合 USB-PD 规范的集成型快速角色交换 (FRS) 功能
    • 可在准双相降压、降压/升压和升压运行之间进无缝转换
    • 提供输入电流和电压调节（IINDPM 和 VINDPM）以防电源过载
    • 适配器满载时，电池可为系统补电
  • TI 获得专利的双随机展频 (DRSS)，可确保符合 IEC-CISPR 32 EMI 规范
  • TI 获得专利的直通模式 (PTM)，可确保效率大于 99% 并支持电池快速充电
  • 适用于 Intel 平台且符合 IMVP8/IMVP9 标准的系统功能
    • 增强型 Vmin 主动保护 (VAP) 模式可在系统峰值功率尖峰期间根据最新的 Intel 规范通过输入电容器为电池补电
    • 全面的 PROCHOT 配置
    • 两级放电电流限制 PROCHOT 配置，可避免电池损耗
    • 系统功率监测器 (PSYS)
  • 通过专用引脚监测输入和电池电流
  • 集成式 16 位 ADC，可监测电压、电流和功率
  • 电池 MOSFET 可在补电模式下实现理想二极管运行
  • 通过电池给 USB 端口加电 (USB OTG)
    • 3V 至 5V OTG
    • 输出电流限制高达 3A，基于 10mΩ 检测电阻
  • 600kHz/800kHz 可编程开关频率
  • SMBus 主机控制接口，支持灵活的系统配置
  • 高精度调节和监控
    • ±0.5% 充电电压调节
    • ±2% 充电电流调节
    • ±2% 输入电流调节
    • ±2% 输入/充电电流监测
  • 安全
    • 热调节和热关断
    • 输入、系统和电池过压保护
    • 输入、MOSFET 和电感器过流保护
  • 封装：36 引脚 4.0mm × 5.0mm WQFN
  • TI 获得专利的准双相降压/升压窄电压直流 (NVDC) 充电器，适用于 USB-C 扩展功率范围 (EPR) 接口平台
    • 输入电压范围为 3.5V 至 40V，可为 2 至 5 节电池充电
    • 充电电流高达 16.3A/30A，基于 5mΩ/2mΩ 检测电阻
    • 输入电流限值高达 8.2A/16.4A，基于 10mΩ/5mΩ 检测电阻
    • 支持 USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1、USB-C 电力输送和扩展功率范围输入电流设置
    • 输入电流优化器 (ICO)，无需过载适配器即可获取最大输入功率
    • 符合 USB-PD 规范的集成型快速角色交换 (FRS) 功能
    • 可在准双相降压、降压/升压和升压运行之间进无缝转换
    • 提供输入电流和电压调节（IINDPM 和 VINDPM）以防电源过载
    • 适配器满载时，电池可为系统补电
  • TI 获得专利的双随机展频 (DRSS)，可确保符合 IEC-CISPR 32 EMI 规范
  • TI 获得专利的直通模式 (PTM)，可确保效率大于 99% 并支持电池快速充电
  • 适用于 Intel 平台且符合 IMVP8/IMVP9 标准的系统功能
    • 增强型 Vmin 主动保护 (VAP) 模式可在系统峰值功率尖峰期间根据最新的 Intel 规范通过输入电容器为电池补电
    • 全面的 PROCHOT 配置
    • 两级放电电流限制 PROCHOT 配置，可避免电池损耗
    • 系统功率监测器 (PSYS)
  • 通过专用引脚监测输入和电池电流
  • 集成式 16 位 ADC，可监测电压、电流和功率
  • 电池 MOSFET 可在补电模式下实现理想二极管运行
  • 通过电池给 USB 端口加电 (USB OTG)
    • 3V 至 5V OTG
    • 输出电流限制高达 3A，基于 10mΩ 检测电阻
  • 600kHz/800kHz 可编程开关频率
  • SMBus 主机控制接口，支持灵活的系统配置
  • 高精度调节和监控
    • ±0.5% 充电电压调节
    • ±2% 充电电流调节
    • ±2% 输入电流调节
    • ±2% 输入/充电电流监测
  • 安全
    • 热调节和热关断
    • 输入、系统和电池过压保护
    • 输入、MOSFET 和电感器过流保护
  • 封装：36 引脚 4.0mm × 5.0mm WQFN

BQ25770G 是一款同步 NVDC 降压/升压电池充电控制器，可通过各种输入源为 2 至 5 节电池充电。这些输入源包括 USB 适配器、扩展功率范围 (EPR) USB-C 电力输送 (PD) 源和标准功率范围 (SPR) USB-C 电力输送 (PD) 源以及传统适配器。该器件是元件数量少的高效率解决方案，适用于空间受限的 2 至 5 节电池充电应用。

通过 NVDC 配置，系统电压可根据电池电压进行调节，但不会降至低于系统最低电压。即便在电池完全放电或被取出时，系统也仍会继续工作。当负载功率超过输入源额定值时，电池会进入补电模式并防止系统崩溃。

在上电期间，充电器基于输入源和电池状况，将转换器设置为降压、升压或降压/升压配置。充电器可在降压、升压、降压/升压工作模式间无缝转换，无需主机控制。TI 获得专利的准双相转换器可以在高功率降压模式下实现交错双相，从而帮助散热并减小每个电感器尺寸。同时，由于升压模式下的供电功率有限，因此只需两个升压侧开关 MOSFET，从而节省整个系统的面积和成本。

在无输入源的情况下，BQ25770G 支持 USB On-the-Go (OTG) 功能，可通过 2 至 5 节电池在 VBUS 上生成具有 20mV 分辨率的 3V 至 5V 可调输出电压。

当仅通过电池为系统供电且 USB OTG 端口未连接任何外部负载时，BQ25770G 可实现最新的 Intel Vmin 主动保护 (VAP) 特性，借助该特性，该器件会通过电池向 VBUS 处充电，从而将部分电能存储在输入去耦电容器中。在系统峰值功率尖峰期间，存储在输入电容器中的电能会为系统补电，从而防止系统电压下降到最低系统电压以下而导致系统崩溃。

BQ25770G 可监测适配器电流、电池电流和系统功率。可灵活编程的 PROCHOT 输出直连 CPU，可根据需要对其进行降频控制。

最新版本的 USB-C PD 规范包括快速角色交换 (FRS)，可确保及时进行电源角色交换，以便连接到扩展坞的器件避免瞬时断电或瞬时故障。此器件集成了 FRS，符合 PD 规范。

TI 获得专利的开关频率抖动模式可以在整个 EMI 传导频率范围（150kHz 至 30MHz）内显著降低 EMI 噪声。有多个抖动扩展选项，可为不同的应用提供灵活性。抖动特性极大地简化了 EMI 噪声滤波器设计。

该充电器在 TI 获得专利的直通模式 (PTM) 下运行，从而在整个负载范围内提高效率。在 PTM 中，输入功率直接通过充电器传递到系统。这样可以降低 MOSFET 的开关损耗和电感器磁芯损耗，从而实现高效运行。

BQ25770G 采用 36 引脚 4mm × 5mm WQFN 封装。

BQ25770G 是一款同步 NVDC 降压/升压电池充电控制器，可通过各种输入源为 2 至 5 节电池充电。这些输入源包括 USB 适配器、扩展功率范围 (EPR) USB-C 电力输送 (PD) 源和标准功率范围 (SPR) USB-C 电力输送 (PD) 源以及传统适配器。该器件是元件数量少的高效率解决方案，适用于空间受限的 2 至 5 节电池充电应用。

通过 NVDC 配置，系统电压可根据电池电压进行调节，但不会降至低于系统最低电压。即便在电池完全放电或被取出时，系统也仍会继续工作。当负载功率超过输入源额定值时，电池会进入补电模式并防止系统崩溃。

在上电期间，充电器基于输入源和电池状况，将转换器设置为降压、升压或降压/升压配置。充电器可在降压、升压、降压/升压工作模式间无缝转换，无需主机控制。TI 获得专利的准双相转换器可以在高功率降压模式下实现交错双相，从而帮助散热并减小每个电感器尺寸。同时，由于升压模式下的供电功率有限，因此只需两个升压侧开关 MOSFET，从而节省整个系统的面积和成本。

在无输入源的情况下，BQ25770G 支持 USB On-the-Go (OTG) 功能，可通过 2 至 5 节电池在 VBUS 上生成具有 20mV 分辨率的 3V 至 5V 可调输出电压。

当仅通过电池为系统供电且 USB OTG 端口未连接任何外部负载时，BQ25770G 可实现最新的 Intel Vmin 主动保护 (VAP) 特性，借助该特性，该器件会通过电池向 VBUS 处充电，从而将部分电能存储在输入去耦电容器中。在系统峰值功率尖峰期间，存储在输入电容器中的电能会为系统补电，从而防止系统电压下降到最低系统电压以下而导致系统崩溃。

BQ25770G 可监测适配器电流、电池电流和系统功率。可灵活编程的 PROCHOT 输出直连 CPU，可根据需要对其进行降频控制。

最新版本的 USB-C PD 规范包括快速角色交换 (FRS)，可确保及时进行电源角色交换，以便连接到扩展坞的器件避免瞬时断电或瞬时故障。此器件集成了 FRS，符合 PD 规范。

TI 获得专利的开关频率抖动模式可以在整个 EMI 传导频率范围（150kHz 至 30MHz）内显著降低 EMI 噪声。有多个抖动扩展选项，可为不同的应用提供灵活性。抖动特性极大地简化了 EMI 噪声滤波器设计。

该充电器在 TI 获得专利的直通模式 (PTM) 下运行，从而在整个负载范围内提高效率。在 PTM 中，输入功率直接通过充电器传递到系统。这样可以降低 MOSFET 的开关损耗和电感器磁芯损耗，从而实现高效运行。

BQ25770G 采用 36 引脚 4mm × 5mm WQFN 封装。
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* 数据表 BQ25770G 适用于 GaN HEMT 且具有系统功率监测器和处理器热量监测器的 40V、SMBus、2 至 5 节、窄 VDC 准双相降压/升压电池充电控制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024-4-18
应用手册 使用 DRSS 降低充电器 EMI：实际效益与实验室验证方法 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2026-2-13

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

BQ25770GEVM — BQ25770G 评估模块

BQ2577xGEVM 是一款功能全面的高功率、高效电池充电器，采用了 SMBus 或 I2C 控制型 NVDC 双相降压/升压充电控制器 BQ2577xG。此 EVM 可驱动 GaN FET，以实现高效率。输入电压范围为 3.5V 至 40V，并具有 2 至 5 节电池的可编程输出以及 0A 至 16.3A 的充电电流范围。借助此 BQ2577xGEVM，用户能够参考分步说明来评估 BQ2577xG 的功能和性能。BQ2577xGEVM 还可用作参考设计，并具有完整的原理图、布局和物料清单 (BOM)。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
参考设计

PMP22405 — 具有混合开关 FET 的双相 320W 多芯电池充电器参考设计

此电池充电器专为采用 BQ25770G 准双相降压/升压电池充电控制器的 40V 320W 笔记本电脑而设计。此参考设计提供 320W 的功率，峰值效率为 98%，并将热量散发到两个并行半桥和电感器中。选择氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 作为高侧 FET 可实现高效率，选择硅 FET 作为低侧 FET 可实现低成本。该混合 FET 参考设计具有成本效益且非常高效，适用于高功率多节电池充电器。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN (REE) 36 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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